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1)  Double Injection
双注入
1.
A new simulation method based on double injection algorithm is introduced.
介绍一种新型的基于双注入算法(Double Injection)的环路增益仿真方法。
2.
It reveals that the negative-resistance characteristic phenomena of SITH is the consequence of high-level injection,also considered as the double injection limited by space charge effect and recombination effect in high voltage level.
得到SITH的负阻转折属于高电平下空间电荷效应和复合效应共同限制的双注入问题,是几种重要物理效应共同作用的结果。
2)  bipolar injection
双极注入
3)  both-side injection
双边注入
4)  dual path injection
双路注入
5)  dual string injection
双管注入
6)  Double Gate Cell with Double Injected (DGCDI)
双栅双注入
补充资料:2,2-双氯甲基-三亚甲基-双[双(2-氯乙基)磷酸脂]
CAS:38051-10-4
分子式:C13H24Cl6O8P2
中文名称:2,2-双氯甲基-三亚甲基-双[双(2-氯乙基)磷酸脂]

英文名称:2,2- bis(chloromethyl)-trimethylene bis[bis(2-chloroethyl)phosphate]
phosphoric acid, 2,2-bis(chloromethyl)-1,3-propanediyl tetrakis(2-chloroethyl)
2,2-bis(chloromethyl)trimethylene bis(bis(2-chloroethyl)phosphate)
2,2-bis(chloromethyl)-1,3-propanediyltetrakis(2-chloroethyl)phosphate
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条