1) photorefractive multiple quantum well(MQW)
光折变多量子阱装置
2) photorefractive multiple quantum well device
光折变多量子阱器件
1.
A novel heterodyne reception of optical wirele ss communication adopting photorefractive multiple quantum well device is discussed.
研究一种采用光折变多量子阱器件的无线光通信自差拍接收方案。
3) photorefractive multiple quantum well device(MQW)
多量子阱光折变器件
4) strained multiple quantum well laser
应变多量子阱激光器
1.
The waveguided mode of 680 nm GaInP/AlGaInP strained multiple quantum well laser is analyzed by using transfer matrix method.
用转移矩阵方法对 680nmGaInP/AlGaInP应变多量子阱激光器的波导模式作了分析和计算。
5) strained multiple quantum wells
应变多量子阱
1.
To investigate the influence of dry etching on strained multiple quantum wells (SMQWs),we etch the cap layer of metalorganic chemical vapor phase deposition (MOCVD) grown InGaN/AlGaN SMQWs about 95 nm by inductively coupled plasma (ICP).
为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AIGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95 nm。
6) crystalline damage
应变多量子阱
1.
Plasma etching ofⅢ-Ⅴsemiconductors and mechanism of crystalline damage;
采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面使量子阱表面变粗糙,使出射光逃逸几率增大;另一方面Ar离子隧穿引起的量子阱内部微结构变化则是发光效率提高的主要原因。
补充资料：多量子阱(见量子阱)
多量子阱(见量子阱)
multiple quantum well
多t子阱multiple quanturn well见量子阱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条