1) crystalline volume factor
晶化体积比
1.
We also find that SiN_x,used as the gate-insulator-layer of the bottom gate TFT,can increase(by about 20%) the crystalline volume factor(Xc) of μc-Si thin film deposited thereon.
由硅基薄膜晶化体积比与系列沉积工艺条件关系和TFT所得薄膜晶化体积比的对比,可清晰证实SiNx对晶化的促进作用。
2) Volume fraction of crystalline phase
晶化体积
3) comparative crystal chemistry
比较晶体化学
1.
FTIR investigation on comparative crystal chemistry on fluorhydroxyapatite solid solutions;
氟羟磷灰石固溶体比较晶体化学FT-IR研究
4) volume fraction changing rate
体积比变化速率
5) cell volume
晶胞体积
1.
2%, the cell volume will contract by entering Ce~(4+) into the A-site of the samples with single perovskite phase, while the cell volume will expand by entering Ce~(4+) into B-site.
样品介电常数随Ce4+含量的增加先增大,后减小,介电常数的增大是由于晶胞体积的收缩以及相对密度的增大;减小则是由于Ce4+的半径(0。
2.
The samples obtained were then charged and discharged for 100 cycles to determine their maximum discharge capacity Cmax, and cell volumes Vcell of some alloys were measured.
制备了6个系列通式为A_αA_(1-α)B_5的RE(NiCoMnTi)_5贮氢电极合金(其中,A_αA_(1-α)为La,Ce,Pr,Nd 4个元素中任意2个的组合),测定了它们在100次循环中的最大放电容量C_(max)及部分合金的晶胞体积V_(cell),结果表明:C_(max)主要由V_(cell)决定,C_(max)先随V_(cell)的增大而增加,在V_(cell)≈85。
3.
With increasing dopant content, their lattice constants and cell volume decrease, average valence of Mn increases, and initial specific capacity in 4 V range decreases.
讨论了掺杂对尖晶石高电位 (>4 5V)区容量的影响 :掺杂后的尖晶石锂锰氧化物仍保持尖晶石结构 ,但与未掺杂的尖晶石锂锰氧化物相比 ,它的晶胞常数减小 ,晶胞体积收缩 ;锰元素的平均化合价升高 ;4V区的初始容量减小 ;循环稳定性明显增加。
6) Unit cell volume
晶胞体积
1.
2 A·g -1 increased with increase of unit cell volume of the alloy in the range of x=0.
２Ａ／ｇ－１下，放电比容量随合金晶胞体积的增大而增加。
补充资料：比保留体积
分子式：
CAS号：
性质：气相色谱中，每克固定液校正到273K(0℃)时的净保留体积称为比保留体积。比保留体积不受柱长、固定液含量和载气流速等操作条件影响，仅与柱温有关。
CAS号：
性质：气相色谱中，每克固定液校正到273K(0℃)时的净保留体积称为比保留体积。比保留体积不受柱长、固定液含量和载气流速等操作条件影响，仅与柱温有关。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条