1) planar split dual gate
平面分离双栅
1.
The characteristics,experiment,and three dimensional device simulations of a new planar split dual gate(PSDG)MOSFET device are reported for the first time.
提出并制作了一种全新的平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管,该器件垂直于沟道方向的电场为一非均匀场。
2) plane separation
平面分离
1.
The methods of improving plane separation result and solving the plane separation equation are presented.
引入簧杆扭转刚度与平动刚度之比 ,建立了双面立式硬支承动平衡机的平面分离的力学模型 ,分析了采用传统的静力学处理方法所产生的误差及引起误差的主要原因 ,提出了改善平面分离效果的簧杆尺寸修改方法 ,及求解平面分离解算方程的实用方
3) separable plane
分离平面
1.
In order to overcome these limitations,the generalized separable plane is introduced based on the definition of MTD and a new algorithm of the MTD problem using nonlinear programming is presented in the paper.
为此,从最小平移距离定义出发,引入广义分离平面概念,提出一种用非线性规划求解距离问题的新算法。
4) separation hyperplane
分离超平面
1.
A separation hyperplane is constructed based on support vector domain description(SVDD),which attempts the combination of SVDD with SVM.
针对两类分类问题中使用支持向量机(Support Vector Machines,SVM)训练时间长和支持向量域分类器(Support Vector Domain Classifier,SVDC)精度不高的问题,建立一种基于支持向量域描述(Support Vector Domain Description,SVDD)的分离超平面,尝试将SVDD与SVM结合。
2.
To improve the precision of both support vector machines(SVM) and support vector domain classifiers(SVDC) and to reduce training time that SVM taken in training,a separation hyperplane is constructed.
为了提高支持向量机(support vector machines,SVM)和支持向量域分类器(support vector domainclassifier,SVDC)的精度,减少SVM的训练时间,建立一种分离超平面。
5) planar flow separators
平面流分离
6) separating hyperplane
分离超平面
1.
The input space is firstly mapped into the high dimensional feature space,and an appropriate separating hyperplane with a lower error separating rate for the training samples is constructed for each of the mapped samples.
输入空间先被映射到高维特征空间,在该空间中依次为每个映射样本构造一个合适的分离超平面,使其对训练样本具有较低误分率,该误分率即作为相应样本包含的分类信息。
补充资料：绝缘栅双极型晶体管
绝缘栅双极型晶体管
insulated gate bipolar transistor,IGBT
IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。 主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。 门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。 发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号 和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条