1) GaAs MESFET
砷化镓金属半导体场效应晶体管
2) arsenic-free glass melting
无砷化
3) Arsenide
砷化物
1.
Traditional copper surface roughening treatment involve the use of arsenide-containing electrolyte which is harmful to environment.
对铜箔表面进行粗化处理,传统的粗化工艺中要使用砷化物,不仅操作不便而且危害环境。
2.
The development course of low dimensional semiconductor materials and Ga-based nitride, arsenide semiconductor quantum dots are reviewed.
综述了半导体低维结构以及镓基砷化物、氮化物材料量子点的发展,涉及了外延生长机理、量子点的形貌结构特征,并着重介绍了镓基氮化物材料量子点的制备方法、研究的现状、面临的困难、应用发展现状,并对其未来研究趋势提出了看法。
4) Gallium arsenide
砷化镓
1.
In this paper, polyferric silicate sulfate (PFSS) was prepared and arsenic-containing wastewater from gallium arsenide plant was flocculated by it.
用自制的无机高分子聚合硅酸铁(PFSS),对砷化镓生产中的含砷废水进行了混凝处理。
2.
Arsenic containing wastewater from gallium arsenide production was treated by coagulation process using self made polyferric metasilicate.
用自制的聚合硅酸铁 (PFSiC)对砷化镓生产中的含砷废水进行混凝处理。
3.
A great deal of wastewater was produced in the manufacturing of gallium arsenide wafers,and the main contamination was gallium arsenide particles in suspension.
砷化镓晶片生产过程中 ,产生大量废水 ,其中主要污染物是悬浮状态的砷化镓微粒。
5) Arsenic compounds
砷化合物
6) GaAs
砷化镓
1.
Study on recovering Ga from GaAs scraps by vacuum metallurgy;
真空法处理砷化镓废料回收镓的研究
2.
A Quantitative Method of AB Microscopic Defects in Semi-insulating GaAs Single Crystals;
半绝缘砷化镓单晶中AB微缺陷的定量测量方法
3.
Electron Acoustic Microscopic Study of GaAs Epitaxial Layers;
砷化镓半导体外延层的电子声成像
参考词条
补充资料：金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）
金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）
JFET和MESFET两种场效应管工作原理都是利用两个反偏pn结（或肖特基结）控制沟道电流。如不用pn结，而由栅极上的外加电压透过一层绝缘体对沟道电流进行控制，这种结构中栅极与沟道之间是绝缘的，绝缘层可以选用SiO2、Si3N4和Al2O3等，以使用SiO2最为普遍。在p型衬底上扩散两个n 型区，分别是漏极和源极。中间部分是金属-绝缘体-半导体组成的MOS电容结构，绝缘层上的金属电极称为栅极。栅极上不加电压时，源和漏极之间由其周围的结绝缘着，故不通导。当栅极加上电压，栅下氧化层中产生电场，其电力线由栅电极指向半导体表面，外加电压将在半导体表面产生表面感应电荷。随着栅极电压的增加，半导体表面将由耗尽而反型，产生电子积累，从而形成一个感生的n型表面薄层，因为其导电类型与衬底的导电类型相反，故称此表面薄层为反型层。反型层成为连接源、漏极的沟道。改变栅压，可改变沟道中电子密度，从而改变沟道电阻。若衬底是n型半导体，则可构成p型沟道的MOSFET。
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