1) Boron out-diffusion
硼外扩散
2) boron penetration
硼扩散
1.
In addition,the effect of boron penetration on gate oxide was investigated.
用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为 3 4nm的MOS电容样品 ,通过对样品进行I V特性和恒流应力下V t特性的测试 ,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能 ,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响 。
3) heavy boron-diffusion
浓硼扩散
4) diffusion boriding
扩散硼化
5) heavily doped region
浓硼扩散区
1.
This thesis puts forward a new kind of method of inductor fabrication, whose internal down-lead adopts ohm contact formed by the boron heavily doped region and the Au evaporated.
本文提出了一种在硅杯表面采用浓硼扩散区与镀金属膜形成的欧姆接触电极作为内引线的硅基电感的新制造方法。
6) external diffusion
外扩散
1.
5 mm,there is no effect on the reaction for the internal diffusion and external diffusion.
5 mm时,内、外扩散对反应均无影响。
2.
The results show: external diffusion is the main resistance for mass transfer,and increasing air velocity and decreas.
研究结果表明,外扩散过程是传质的主要阻力,增大风速、减小吸附剂颗粒直径是减少传质阻力的有效措施。
3.
Based on the determined kinetic model equation of non-steady reaction, the new method for obtaining experimental data of single continuous run to be used to evaluate the effect of external diffusion on multiphase reaction and to determine experimental conditions of eliminating external diffus.
在确定非稳态反应动力学模型基础上,通过反应实验及数据处理,建立了用一套连续反应实验数据考察外扩散对多相反应过程影响及确定消除外扩散影响实验条件的新方法。
补充资料：外扩散
分子式：
CAS号：
性质：指反应物分子从气流主体扩散到颗粒催化剂外表面的过程。在实验中可以用增大物料气流线速度(增加反应器高径比以保持接触时间不变)，减小催化剂粒度，或降低温度，降低体系总压力等方法减少外扩散阻力。
CAS号：
性质：指反应物分子从气流主体扩散到颗粒催化剂外表面的过程。在实验中可以用增大物料气流线速度(增加反应器高径比以保持接触时间不变)，减小催化剂粒度，或降低温度，降低体系总压力等方法减少外扩散阻力。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条