1) localized boron dif-fusion on rear face
背面定域硼扩散
2) localized diffusion
定域扩散
3) Boron out-diffusion
硼外扩散
4) boron penetration
硼扩散
1.
In addition,the effect of boron penetration on gate oxide was investigated.
用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为 3 4nm的MOS电容样品 ,通过对样品进行I V特性和恒流应力下V t特性的测试 ,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能 ,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响 。
5) heavy boron-diffusion
浓硼扩散
6) diffusion boriding
扩散硼化
补充资料：定域吸附
分子式：
CAS号：
性质：或称定位吸附。即只发生在吸附中心上的吸附。当固体表面能量分布波动较大，其波谷可视为吸附中心，波峰可视为能垒。吸附中心一般就是催化活性中心。定域吸附时，吸附粒子从一个吸附中心移向另一个吸附中心，需要爬过能垒，只有当吸附粒子热运动能超过能垒才能移动。化学吸附都是定域吸附，因为吸附粒子与吸附中心之间形成化学吸附键。吸附粒子是否移动，取决于粒子的热运动能和吸附中心间能垒的大小。
CAS号：
性质：或称定位吸附。即只发生在吸附中心上的吸附。当固体表面能量分布波动较大，其波谷可视为吸附中心，波峰可视为能垒。吸附中心一般就是催化活性中心。定域吸附时，吸附粒子从一个吸附中心移向另一个吸附中心，需要爬过能垒，只有当吸附粒子热运动能超过能垒才能移动。化学吸附都是定域吸附，因为吸附粒子与吸附中心之间形成化学吸附键。吸附粒子是否移动，取决于粒子的热运动能和吸附中心间能垒的大小。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条