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1)  deep reactive ion
深反应离子
1.
The deep reactive ion etching device is mainly applied to etching Si materials in the MEMS fabrications area.
深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1]。
2)  deep reactive ion etching
深反应离子刻蚀
1.
The rooting effect of the structure in deep reactive ion etching (DRIE) process was investigated.
给出了加速度计的制作工艺流程,研究了解决深反应离子刻蚀过程中的过刻蚀现象的方法。
3)  Deep-RIE
反应离子深刻蚀
1.
A Model of Deep-RIE in MEMS Fabrications;
MEMS工艺中反应离子深刻蚀硅片的数值模型研究
4)  DRIE
深反应离子刻蚀
1.
After a glass wafer was bonded atop the bridge by anodic bonding, the silicon substrate was hack - etched by DRIE beneath the bridge member up to t.
首先在标准硅片上依次沉积二氧化硅、多晶硅(重掺杂)和铝,经过光刻刻蚀后形成桥单元,接下来采用阳极键合工艺在桥上粘接玻璃片,然后采用深反应离子刻蚀工艺在桥下方反向刻蚀单晶硅村底到预定深度,形成冲击片雷管的加速膛和飞片层(预留的单晶硅层)。
5)  Deep Reactive Ion Etching(DRIE)
深度反应离子刻蚀
1.
The effects of Deep Reactive Ion Etching(DRIE) and the backside protecting under the etching silicon on the structure were analyzed.
通过对深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺参数的调整,成功地刻蚀出大尺寸、大深宽比的结构释放窗口,释放了最小线宽为2。
6)  Reactive ion
反应离子
补充资料:阳离子深黄GL
分子式:
CAS号:

性质:深黄色粉末。配伍值1.5。2-氯-N,N′-二甲基苯并咪唑与6-甲氧基-N-甲基-2-苯并噻唑腙缩合,季铵化,过滤,干燥而得。用于腈纶及其混纺织物的染色。

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参考词条