1) Reactive ion plating
反应离子镀
1.
Films with sheet resistance of 34Ω/□ and peak transmittance of 89% in visible region have been deposited on K9 glass substrate by reactive ion plating deposition.
采用反应离子镀新工艺成功地在K9玻璃上制备了ITO(Indium Tin Oxide)透明导电膜,所制备的ITO膜在550～600nm波长范围内,典型的峰值透过率为89%,面电阻为34Ω/□。
2) Reactive low voltage ion plating
低压反应离子镀
1.
Physical process of reactive low voltage ion plating;
低压反应离子镀的物理过程
2.
Preparation of ITO films by reactive low voltage ion plating;
低压反应离子镀方法制备ITO透明导电膜
3) Low voltage reactive ion plating
低压反应离子镀
1.
WO 3 thin films were prepared by vacuum electron beam evaporation low voltage reactive ion plating technology.
采用真空电子束蒸发低压反应离子镀技术制备 WO3 电致变色薄膜 ,对比研究在玻璃衬底和塑料衬底上制备的 WO3 薄膜的物理特性、电化学特性和电致变色特性。
4) ME ARE
活性反应离子镀
5) RLVIP
低压反应离子镀(RLVIP)
补充资料：离子镀
分子式：
CAS号：
性质：镀料和镀件置于真空室中，在一定真空度下从针形阀通入惰性气体(通常为氩气)，使真空度保持在0.1～1Pa。接通负高压，使蒸发源(镀料；阳极)和镀件(阴极)之间放电，建立低压气体放电的等离子区和阴极区。然后将蒸发源通电加热，使镀料金属气化进入等离子区。在高速电子轰击下，金属气体一部分被电离并在电场作用下被加速，射在镀件表面而形成镀层。离子镀的主要特点是镀层均匀，附着力好，可用于装饰、表面硬化、电子元器件用的金属或化合物镀层、光学用镀层等。
CAS号：
性质：镀料和镀件置于真空室中，在一定真空度下从针形阀通入惰性气体(通常为氩气)，使真空度保持在0.1～1Pa。接通负高压，使蒸发源(镀料；阳极)和镀件(阴极)之间放电，建立低压气体放电的等离子区和阴极区。然后将蒸发源通电加热，使镀料金属气化进入等离子区。在高速电子轰击下，金属气体一部分被电离并在电场作用下被加速，射在镀件表面而形成镀层。离子镀的主要特点是镀层均匀，附着力好，可用于装饰、表面硬化、电子元器件用的金属或化合物镀层、光学用镀层等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条