1) low-temperature AlN interlayer
低温AlN插入层
2) AlN interlayer
高温AlN插入层
1.
Influence of high-temperature AlN interlayer on the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructure and HEMTs
高温AlN插入层对AlGaN/GaN异质结材料和HEMTs器件电学特性的影响
3) intercalation
[英][in,tə:kə'leiʃən] [美][ɪn,tɝkə'leʃən]
层间插入
1.
Preparation and Researches on the Photocatalytic Property of the CdS Intercalation's CdS/H_4Nb_6O_(17) Compound;
CdS层间插入的CdS/H_4Nb_6O_（17）复合材料的制备及其光催化性能研究
4) Interlayer intercalation
层间插入
1.
Based on our initial research results of the activation,modification and interlayer intercalation of clay minerals as well as the development of industrial application preducts, the variabi.
并以我们对粘土矿物进行活化、改性、层间插入及其工业应用产品开发的初步研究成果，阐明利用粘土硅酸盐多层次结构的可变性，开拓新的应用性能的可能性及粘土矿物充分开发应用的途径。
5) insertion layer
插入层
1.
The energy band construction of CdTe solar cells with ZnTe/ZnTe∶Cu insertion layer is analyzed.
分析了有 Zn Te/ Zn Te∶ Cu插入层的 Cd Te太阳电池在能带结构上的变化 。
6) insert into stratum
插入地层
补充资料：aluminium nitride material AlN
分子式：
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条