1) NMOSFET
N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管
2) n-type
n型
1.
Structural characterization and properties of co-doping n-type CVD diamond films;
共掺杂n型CVD金刚石薄膜的结构和性能
2.
Effects of Pancuronium on Whole-cell N-type Calcium Currents of Rat Superior Cervical Ganglia;
泮库溴铵对大鼠颈上交感神经元全细胞N型钙通道电流的影响及其机制的探讨
3.
Low resistivity n-type diamond films were prepared by boron and phosphorus co-doping with the ion implantation method.
用离子注入方法,在CVD金刚石薄膜中共注入硼离子和磷离子,得到了电阻率较低的n型金刚石薄膜。
3) n type
n型
1.
n type boron and sulfur co doped diamond films with Low resistivtiy are prepared by microwave CVD method.
利用微波气相沉积方法制备了低电阻率的 n型硫掺杂和硼硫共掺杂金刚石薄膜 。
4) Ex "n"
“n”型
1.
Ex "n" Incandescent Lamp Used in Zone 2;
用于2区的“n”型防爆白炽灯
5) n type silicon
n型Si
6) n type CdSe
n型CdSe
参考词条
补充资料：金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）
金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）
JFET和MESFET两种场效应管工作原理都是利用两个反偏pn结（或肖特基结）控制沟道电流。如不用pn结，而由栅极上的外加电压透过一层绝缘体对沟道电流进行控制，这种结构中栅极与沟道之间是绝缘的，绝缘层可以选用SiO2、Si3N4和Al2O3等，以使用SiO2最为普遍。在p型衬底上扩散两个n 型区，分别是漏极和源极。中间部分是金属-绝缘体-半导体组成的MOS电容结构，绝缘层上的金属电极称为栅极。栅极上不加电压时，源和漏极之间由其周围的结绝缘着，故不通导。当栅极加上电压，栅下氧化层中产生电场，其电力线由栅电极指向半导体表面，外加电压将在半导体表面产生表面感应电荷。随着栅极电压的增加，半导体表面将由耗尽而反型，产生电子积累，从而形成一个感生的n型表面薄层，因为其导电类型与衬底的导电类型相反，故称此表面薄层为反型层。反型层成为连接源、漏极的沟道。改变栅压，可改变沟道中电子密度，从而改变沟道电阻。若衬底是n型半导体，则可构成p型沟道的MOSFET。
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