1) loophole PN junction
环孔PN结
1.
The method of calculating the depletion layer capacitance of MCT loophole PN junction under reverse bias has been investigated,using the MATLAB and assuming the abrupt junction approximation.
采用突变结近似,对反向偏置下碲镉汞(HgCdTe)环孔PN结耗尽区电容的计算方法进行了分析和讨论,给出了若干条件下的计算结果,表明与有关理论分析的结论是吻合的。
2.
The HgCdTe loophole pn junctionformed by energy ion beam milling is a novel compound detector with advantages offast response, high sensitivity, high stability, low price, high intergraded density andso on.
离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结是一种新型HgCdTe红外探测器，具有响应速度快、灵敏度高、稳定性好、成本低、易于集成，适用于制作长线列和高密度的二维列阵等优点。
2) pn junction
pn结
1.
Linear analysis of the PN junction as a temperature sensor;
PN结传感原理线性化分析
2.
Study on overlapping principle of PN junction in nonlinear zone of photoelectric cell;
光电池非线性区PN结光生伏特效应的研究
3.
Application of PN junction temperature compensation in pressure transmitter;
PN结温度补偿法在压力变送器中的运用
3) PN-junction
PN结
1.
Experimental and Applicant Study of Cement Based pn-junction in the Prevention of Reinforcement Corrosion;
水泥基pn结实验及其在钢筋锈蚀防护中的应用
4) p-n junction
PN结
1.
The formula for calculating the effective impurity concentration in the abrupt junction, the linearly graded junction and the random junction is deduced by using the capacity characteristics obtained when the reverse bias are applied to the p-n junction.
全面地介绍了pn结C-V测量法的基本原理、测试设备及条件。
2.
The article discusses the temperature characteristics of semiconductor P-N junction,and the design of its temperature-measuring experiment is also introduced.
讨论了半导体PN结的温度特性及其测温实验的设计。
3.
The physical property of P-N junction was expatiated detailedly.
阐述了PN结的物理特性,及根据PN结的物理特性测定玻尔兹曼常数的原理。
5) PN junction temperature
PN结结温
6) pn junction isolation
pn结隔离
1.
The method is to block the eddy currents induced by spiral inductors by directly forming pn junction isolation in the Si substrate.
这种方法是直接在硅衬底形成间隔的 pn结隔离以阻止螺旋电感诱导的涡流 。
补充资料：pn结（p-njunction）
pn结（p-njunction）
在一块n型（或p型）半导体单晶上，用适当的工艺方法（如合金法、扩散法和离子注入法等）把p型（或n型）杂质掺入其中，使这块单晶的不同区域分别具有p型和n型的导电类型，在二者的交界面处就形成了pn结。pn结刚形成时，p区的多数载流子空穴向n区扩散，在n区边界附近与电子复合。p区失去空穴，在其边界附近就剩下带负电的受主离子；同理，n区电子也向p区扩散，在其边界附近剩下带正电的施主离子。结果在p区和n区交界面的两侧形成带正、负电荷的区域，称为空间电荷区，也叫耗尽区（多数载流子缺乏）。空间电荷区内正、负离子电荷总量相等，其中形成的电场方向由n区指向p区，它就是pn结的自建电场。在平衡时，自建电场的大小正好能阻止空穴和电子进一步扩散，使空间电荷区宽度保持一定。当结上加正向电压时（即p区接电源正极，n区接负极），自建电场削弱，使多数载流子（p区的空穴，n区的电子）容易通过pn结，因而电流较大，这时pn结叫做正偏结，电流称为正向电流；当结上加反向电压时，内建电场增加，只有少数载流子（p区的电子，n区的空穴）易通过pn结，因而电流很小，这时pn结叫做反偏结，电流叫做反向电流。pn结具有单向导电性，这是pn结最基本的性质之一。pn结这种整流特性是很多半导体器件和电路的核心。整流器及许多其他类型的二极管都是只含1个pn结的器件；一般结型晶体管是2个pn结构成的器件；晶体闸流管是含有3个或4个pn结的器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条