1) PDSOI
部分耗尽绝缘体上硅
1.
Partially-depleted silicon-on-insulator(PDSOI)floating-body(FB)nMOSFETs and H-gate type body-contacted(BC)nMOSFETs are fabricated with different back channel implantation dosages.
分别采用不同的背栅沟道注入剂量制成了部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件。
2) Part
部分
1.
A Counting Formula for the Partitions of n into Exactly 5 parts;
部分数为5的n-分拆的计数公式
2.
Knowledge again to the relations between of whole and part;
对整体和部分关系的再认识
3.
The whole is less than the addition of parts;
整体小于部分之和──一种不可忽视的系统功能
3) partial
部分
1.
Microanatomic study of the partial labyrinthectomy petrous apicectomy: transtentorial approach;
幕上下联合经部分迷路-岩尖入路的显微解剖研究
2.
Objective To Observe the influence of partially bone metabolic index,insulin shape growth factor-1(IGF-1) and bone density for2 type diabetic controls blood sugar before and after.
目的观察2型糖尿病患者血糖控制前后对部分骨代谢指标、胰岛素样生长因子-1(IGF-1)及骨密度的影响。
3.
Purpose:To evaluate the feasibility and clinical efficacy of retroperitoneoscopic nephron sparing surgery ,including tumor enucleation and partial nephrectomy , for the treatment of renal tumors.
目的 :探讨后腹腔镜肿瘤剜除术和肾部分切除术治疗肾脏肿瘤的应用价值。
4) partial oxidation
部分氧化
1.
Direct partial oxidation of methane to syngas by lattice oxygen of cerium oxide;
CeO_2中晶格氧直接部分氧化甲烷制取合成气的研究
2.
The Resistance of Carbon Deposition of Methane Partial Oxidation Catalyst:the DFT Study;
甲烷部分氧化催化剂抗积碳性能的DFT研究
3.
Progress in partial oxidation of methane to synthesis gas;
天然气甲烷部分氧化制合成气的研究进展
5) pontes
连接部分
1.
Effect of Assembly Stress on tensil strength of pontes;
铆钉的装配应力对连接部分拉伸强度的影响
2.
Effect of Temperature Stress of rivet on tensil strength of pontes;
铆钉的温度应力对连接部分拉伸强度的影响
6) partial-filling
部分充填
1.
Choice of coal mine partial-filling technology according to balance between mining and filling;
从采充均衡论煤矿部分充填开采模式的选择
2.
Because of relative high cost of traditional filling,a new concept of the partial-filling and three technical ways are put forward,including the technologies of partial paste filling in goaf,isolated section-grouting for the overburden bed.
针对传统充填开采成本相对偏高的问题,提出了部分充填开采的概念和3项部分充填开采技术,即采空区膏体条带充填技术、覆岩离层分区隔离注浆充填技术、条带开采冒落区注浆充填技术,分别对其技术原理进行了介绍。
参考词条
补充资料：绝缘体上外延硅
绝缘体上外延硅
silicon on insulator
绝缘体上外延硅Sixieon。n insulator在绝缘衬底上制备半导体薄膜的生长技术。简称501。早期发展的绝缘衬底是蓝宝石。由于蓝宝石上外延硅存在衬底的自掺杂、载流子迁移率低、衬底和外延层界面应力大和衬底价格昂贵等缺点，得不到广泛应用。 501是在硅单晶衬底上形成5102绝缘层作衬底，并在绝缘层上进行硅外延增加厚度，用腐蚀法在该衬底上形成隔离硅岛后加工成电路。 较典型的501技术包括以下3种。①区熔再结晶技术。1979年由美国林肯实验室开拓。可采用激光或石墨加热器，近年又发展电子束、卤素钨灯加热等。这项技术经历图形外延、侧向籽晶外延和区熔再结晶。②氧离子注入(S IMOX)。以离一子束向硅单晶片注入高剂量氧离子，退火后形成埋层5102，再进行硅外延。用于超大规模集成电路SIMOX的最佳条件是:加热至500℃以上，以150一200 keV能量进行高浓度氧离子注入，注入浓度1一 2x101犯m一3，注入后在大于1250℃高温下退火。衬底和器件质量取决于注入能量、束流和温度等。③隔离硅外延。近年由林肯实验室发展的。它克服了材料缺陷如突出物、圆片翘曲和表面粗糙，提高了501材料质量。 用501结构材料加工大规模集成电路可降低互补金属一氧化物一半导体(CMOS)器件衬底的寄生电容，提高开关速度，增强抗宇宙射线能力和增加集成度。已应用于CMOS随机存贮器、运算器等。但501技术至今尚未进入商品化。今后除寻求发展新技术外，必须努力提高原有各种技术的实用性，如更好地控制硅膜中的缺陷和杂质，提高工艺的可靠性，进一步降低成本等，使之早日实现商品化。 (莫金现)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。