1) Amorphous Ge_(20)As_(25)Se_(55)film
GeSe_2非晶半导体薄膜
3) amorphous GeS2 film
GeS2非晶半导体薄膜
4) amorhous As 2S 3 semiconductor films
非晶As2S3半导体薄膜
5) amorphous As_2S_8 semiconductor films
非晶态As2S8半导体薄膜
1.
Research and application of photoinduced phenomena of amorphous As_2S_8 semiconductor films;
实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在紫外汞灯和He_Cd激光照射下的光诱导现象,证实了光照射后的As2S8薄膜的折射率增大,体积缩小,可见光吸收谱的吸收带蓝移。
6) amorphous chalcogenide film
硫系非晶半导体薄膜
1.
Ultrafast optical Kerr effect in amorphous chalcogenide films
硫系非晶半导体薄膜中的超快光Kerr效应
补充资料：germanium selenide crystal GeSe
分子式：
CAS号：
性质：周期表第Ⅳ、Ⅵ族化合物半导体。正交晶系离子性晶体，晶格常数0.438nm。为直接带隙半导体。密度5.56g/cm3。熔点670℃。室温禁带宽度1.53eV。电子和空穴迁移率分别为0.1m2/(V·s)和3×10-3m2/(V·s)。采用熔化再结晶法制备。
CAS号：
性质：周期表第Ⅳ、Ⅵ族化合物半导体。正交晶系离子性晶体，晶格常数0.438nm。为直接带隙半导体。密度5.56g/cm3。熔点670℃。室温禁带宽度1.53eV。电子和空穴迁移率分别为0.1m2/(V·s)和3×10-3m2/(V·s)。采用熔化再结晶法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条