1) average mobility model
平均迁移率模型
1.
The I-V characteristics for SiC buried-channel MOSFETs based on an average mobility model is presented.
提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。
2) average moving rate
平均迁移率
3) mobility model
迁移率模型
1.
Based on a new majority carrier mobility model of the strained Si 1-x Ge x material, the relation between resistivity and doping concentrations with different Ge compositions has been obtained.
在对Si1-xGex材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱。
2.
The relation between the resistivity and the dopi ng concentration with the different Ge composition was obtained based on a new majority carrier mobility model of the strained Si 1-xGe x material.
在分析研究Si1 -xGex 材料多子迁移率模型的基础上 ,建立了Si1 -xGex 材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图 。
4) migration rate model
迁移率模型
1.
Analysis of migration rate models for biogeography-based optimization
生物地理学优化算法的迁移率模型分析
2.
In order to improve the performance of biogeography-based optimization(BBO),this paper generalizes the basic principle of biogeography theory,explores the characteristics and behaviors of various migration rate models in BBO,and investigates performance through representative benchmark functions.
为了提高算法的优化性能,在标准生物地理学优化算法基础上,概括了生物地理学理论的基本平衡定理,探索了在该定理下优化算法的各种迁移率模型的特点及行为,同时对这些迁移率模型进行一些典型基准函数的性能测试。
5) mobility fluctuation model
迁移率涨落模型
1.
The article systematically introduced two kinds mature theory of 1/f noise source: mobility fluctuation model and carrier fluctuation model.
本文首先较为系统地介绍了1/f噪声源两种较为成熟的理论:迁移率涨落模型和载流子涨落模型,最后介绍了几个1/f噪声与半导体器件参数漂移相关的实例。
6) expectation drift madel
均值平移模型
补充资料：电子迁移率检测器
分子式：
CAS号：
性质：β粒子与载气氩分子间的碰撞是弹性的，而与试样分子间的碰撞则是非弹性的，即总伴有能量损失。适当选择脉冲持续时间，使快电子能够完全到达正极，而慢电子则不能到达。当试样进入后，快电子所产生的电流就会改变，从而输出信号。
CAS号：
性质：β粒子与载气氩分子间的碰撞是弹性的，而与试样分子间的碰撞则是非弹性的，即总伴有能量损失。适当选择脉冲持续时间，使快电子能够完全到达正极，而慢电子则不能到达。当试样进入后，快电子所产生的电流就会改变，从而输出信号。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条