1) BZN film
铋锌铌薄膜
2) BZN(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7) films
铌酸锌铋(BZN)薄膜
3) bismuth magnesium niobate(BMN) thin films
铌酸铋镁BMN薄膜
4) bismuth zinc niobate
铌酸铋锌
5) bismuth zine niobate
铌锌酸铋
6) bismuth zincate niobate ceramics
锌铌酸铋陶瓷
补充资料：铌铋锌系陶瓷
分子式：Nb2O5-Bi2O3-ZnO
CAS号：
性质：以Nb2O5-Bi2O3-ZnO 三元体系统为主晶相的陶瓷材料。主要特点是介电常数高。主要原料五氧化二铌、三氧化二铋、氧化锌，加入少量改性添加物，采用一般电子陶瓷工艺，在900℃以下温度烧成。通过改变主要原料的组成配比和添加物量，可形成一系列不同介电常数（从79～209）和不同介电常数温度系数（从+120×10-6/℃以-750×10-6/℃）的陶瓷材料。其体积电阻率为111～310×1010Ω·cm，抗电强度11.4～15.1kV/mm，介质损耗角正切值0.6～3.6×10-4(20℃)。可用于制造小体积、大容量的低温烧结高频独石电容器。
CAS号：
性质：以Nb2O5-Bi2O3-ZnO 三元体系统为主晶相的陶瓷材料。主要特点是介电常数高。主要原料五氧化二铌、三氧化二铋、氧化锌，加入少量改性添加物，采用一般电子陶瓷工艺，在900℃以下温度烧成。通过改变主要原料的组成配比和添加物量，可形成一系列不同介电常数（从79～209）和不同介电常数温度系数（从+120×10-6/℃以-750×10-6/℃）的陶瓷材料。其体积电阻率为111～310×1010Ω·cm，抗电强度11.4～15.1kV/mm，介质损耗角正切值0.6～3.6×10-4(20℃)。可用于制造小体积、大容量的低温烧结高频独石电容器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条