2) Three-layer routing
三层布线
3) double-level metallization
双层布线
1.
And the PD CMOS/SOI radiant technology has been developed successfully,including the key technologies,such as poly-buffered LOCOS,channel engineer and double-level metallization.
其关键工艺技术包括 :PBL (Poly- Buffered L OCOS)隔离、沟道工程和双层布线等技术 。
4) multilayer wiring
多层布线
1.
Effects of conductive and glass phases as well as additives on surface resistivity, it s temperature coefficient (TCR) and stability of multilayer wiring dielectric surface are researched and mechanism of resistance floatation due to interaction between dielectric and resistive layers is analyzed.
研究了导电相、玻璃相和添加剂对多层布线表面电阻的方阻、温度系数和稳定性的影响，分析了介质层与电阻层之间的相互作用而导致电阻阻值变化的机理。
5) wiring layer
布线层
6) Semi-thread fabric
半线平布
补充资料：多层布线技术
分子式：
CAS号：
性质： 制作多层布线陶瓷基板和封装管壳工艺技术。有两种基本方法：一种是在薄片状的陶瓷生坯上印刷耐热导体，然后在压力下多层叠加。另一种是在陶瓷生坯上交替印刷导体层和隔离介质层。两者都经高温烧结而成独石结构的复合陶瓷。陶瓷内导体构成立体配线，形成回路，导体有钼-锰系，钼-金系，钯系，铝系，钨系等。采用此法制成的器件具有重量轻、体积小、可靠性好、效能高等优点。
CAS号：
性质： 制作多层布线陶瓷基板和封装管壳工艺技术。有两种基本方法：一种是在薄片状的陶瓷生坯上印刷耐热导体，然后在压力下多层叠加。另一种是在陶瓷生坯上交替印刷导体层和隔离介质层。两者都经高温烧结而成独石结构的复合陶瓷。陶瓷内导体构成立体配线，形成回路，导体有钼-锰系，钼-金系，钯系，铝系，钨系等。采用此法制成的器件具有重量轻、体积小、可靠性好、效能高等优点。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条