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1)  IC failure
集成电路失效
1.
This thesis narrates some causes of IC failure in detail ,which including :wrong selection of capillary ,chip’s surface pollution in production, aluminum lift , erroneous bonding parameters ,defective epoxy molding compound (EMC), moist stored circumstance and so forth .
文章主要对集成电路失效问题进行分析,列举出了容易引起集成电路失效的原因:压焊劈刀选型不当,生产过程中造成芯片表面沾污,芯片表面内压焊点铝层与底层硅化合物结合不牢,选用压焊参数不当,环氧塑封料的特性不佳,存储环境恶劣导致成品电路吸潮等,并逐一进行了分析。
2.
This thesis narrates some causes of IC failure in detail ,which include :wrong selection of capillary ,staining die’s surface , aluminum lift ,erroneous bonding parameters ,defective epoxy molding compound (EMC), moist stored circumstance and so forth .
文章主要对集成电路失效问题进行了分析和阐述。
更多例句>>
2)  bulk effect integrated circuit
体效应集成电路
3)  equivalent integrated circuit
等效集成电路
4)  Circuit failure
电路失效
例句>>
5)  Failure circuit
失效电路
6)  gunn effect integrated circuit
耿氏效应集成电路
补充资料：BiCMOS集成电路
[英文]：BiCMOS integrated circuit
[解释]：
    由双极型门电路和互补金属-氧化物-半导体（CMOS）门电路构成的集成电路。特点是将双极（Bipolar）工艺和CMOS工艺兼容，在同一芯片上以一定的电路形式将双极型电路和CMOS电路集成在一起 ，兼有高密度   、低功耗和高速大驱动能力等特点 。高性能BiCMOS电路于20世纪80年代初提出并实现，主要应用在高速静态存储器、高速门阵列以及其他高速数字电路中，还可以制造出性能优良的模／数混合电路，用于系统集成。有人预言，BiCMOS集成电路是继CMOS集成电路形式之后最现实的下一代高速集成电路形式。
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