1) double doping layer
双层掺杂
2) doping in double emitting layer
双发光层掺杂
3) double clad rare-earth doped fiber
双包层掺杂光纤
4) two-layer doping buried-layer
双层掺杂埋层结构
5) double layerd gated Si-δ-doped GaAs
带门极双层Si-δ-掺杂GaAs
6) doubly doped LiNbO 3
双掺杂LiNbO3
1.
By jointly solving the two center material equations and the coupled wave equations, a dynamic model to study the nonvolatile hologram realized by the two color recording scheme (UV light for sensitizing and He Ne laser for recording) in doubly doped LiNbO 3 crystals is set up.
通过联立两中心带输运物质方程和双光束耦合波方程 ,建立了双掺杂LiNbO3 晶体采用双色光 (紫外敏化光和He Ne记录光 )实现非挥发性全息存储的动力学模型。
补充资料：Riemann曲面的双层
Riemann曲面的双层
double of a Rtemam surface
R七na旧曲面的双层【d阅盛ofaR班”创口.溯面伙;口y-叙‘入Mao.阅亩。璐ePxHocT。」 有限R让”lann曲面(Ri日rr团Ins也faCe)R的一个双叶硬盛曲面(co祀nngs也企Ce)以每个内点p〔R对应于双层w的一对点p和瓦换言之，两个共扼点p和下位于p上.R的边界上的每个点q对应于一点q‘w.此外，点p，万。w的两个不相交邻域位于一个内点p“R的每个邻域之上.如果z是内点p任R的一个邻域中的局部单值化参数(1o司训ifo爪斌乙ng Pa~ter)，则它也是W的位于p上的两个共扼点之一的一个W邻域，例如点P任W的一个w邻域中的局部单值化参数;于是在共扼点万的一个w邻域中，变量:的共扼复数万就是一个局部单值化参数.如果2是R的边界点q处的局部单值化参数，则在W的一叶上等于z而在另一叶上等于万的变量就是位于该边界点之上的点q任W的一个局部单值化参数. 在紧可定向Rjen坦rm曲面R的情形中，其双层简单地由两个紧可定向R渝narm曲面组成，因而双层的研究不再有什么意义.在所有其他情形中，Rlen坦叮n曲面的双层是紧可定向Rlen州Lnn曲面.用这一事实可把R上函数的研究归结为W上函数的研究，从而简化R上函数论的某些问题的探讨.W的亏格(见曲面的亏格(邵nus of as扭face))是夕+脚一1，其中召是尺的亏格，川是R的边界的分支(假定它不退化)数.例如，单连通平面区域的双层是球面，而爪连通平面区域的双层是具有川一1个环柄的球面. R心rr以nn曲面R上的解析微分(见R妇.1.1曲面上的微分(d江re脚甸。n aR七maxins以企印))是其双层评上由下述事实刻画的解析微分:它在评的共扼点处取共扼值而在位于R的边界点上的点q‘体处取实值【补注】构造双层RieIT坦叮n曲面的过程称为加倍(duP-五口石朋).这种过程可应用于任一具有边界(见边界(流形的)(加训山叼(ofa甘曰恤fold)”的连通二维流形(t卿~dinl沈招沁mlrr坦nifold)M以作出M到一个连通二维流形的正则嵌人(见【AI]，芍13.H).
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条