1) high voltage PMOS device
高压PMOS器件
2) HV PMOS
高压PMOS
1.
Process Improvement to Enhance HV PMOS Drain Breakdown Voltage;
提升高压PMOS漏极击穿电压的工艺改进方法
2.
This paper describes a process improvement for the HV PMOS LDD structure to enhance the HV PMOS drain breakdown voltage without impact on other device performance,and analyzes the mechanism of how the process improvement enhances the drain breakdown voltage.
文中讲述了一种通过改进高压PMOS源漏极轻掺杂扩散结构(LDD),来提升高压PMOS的漏极击穿电压的工艺改进方法,并且该工艺改进不影响其他器件性能。
3) PMOSFET
PMOS器件
1.
Design of High Voltage PMOSFET Compatible with Standard CMOS Technology;
与常规CMOS工艺兼容的高压PMOS器件设计与应用
4) PMOS pass element
PMOS无源器件
5) deep submicron PMOSFET s
深亚微米PMOS器件
1.
Degradation and physical mechanism of NBT in deep submicron PMOSFET s;
NBT导致的深亚微米PMOS器件退化与物理机理
补充资料：高压线走廊（高压架空线路走廊）
在计算导线最大风偏和安全距离情况下，35kV及以上高压架空电力线路两边导线向外侧延伸一定距离所形成的两条平行线之间的专用通道。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条