1) inversion layer capacitance
反型层电容
1.
First,inversion layer capacitance and depletion layer capacitance were defined,analyzed and calculated,respectively.
分别对反型层电容和耗尽层电容进行定义、分析和计算,给出了MOSFETs栅电容解析表达式,并与数值模拟结果进行了比较。
2) inversion layer charge
反型层电荷
1.
It depends on the inversion layer charge for MIS/IL(Metal-Insulator-Semiconductor/Induced layer).
在一定输出电流及光照条件下,数值求解半导体器件基本方程,获得输出电压和反型层电荷面密度等参数。
3) inversion layer resistance
反型层电阻
4) electrode inversion layer
电极反型层
5) inversion layer charge model
反型层电荷模型
1.
A new inversion layer charge model for SiC MOSFET is established by introducing the effect of excited states of impurities.
引入杂质激发态因素,建立新的SiC MOSFET反型层电荷模型。
6) double barrier layer capacitor model
双阻挡层电容模型
补充资料：反型层
分子式：
CAS号：
性质：当过分地从半导体中取出多数载流子、而多数载流子能带必须严重弯曲才能供给全部所需的载流子时，形成反型层。这时载流子不得不取自少数载流子能带。“反型”一词的意思是由于发生上述过程，半导体表面发生转型，如n型半导体表面实际上已转变为p型，或p型半导体表面实际上已转变为n型。
CAS号：
性质：当过分地从半导体中取出多数载流子、而多数载流子能带必须严重弯曲才能供给全部所需的载流子时，形成反型层。这时载流子不得不取自少数载流子能带。“反型”一词的意思是由于发生上述过程，半导体表面发生转型，如n型半导体表面实际上已转变为p型，或p型半导体表面实际上已转变为n型。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条