1) hydride vapor phase epitaxy(HVPE)
氢化物汽相外延(HVPE)
2) Hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
氢化物气相外延(HVPE)
3) HVPE
氢化物气相外延
1.
High quality GaN film was grown by hydride vapor phase epitaxy(HVPE) using porous AAO as mask.
采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜。
2.
One of the best solutions to this problem would have been the use of freestanding GaN substrates, which are grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) due to its high growth rate.
氢化物气相外延(HVPE)技术由于生长速率高，能提供生长GaN自支撑衬底而逐渐受到重视。
3.
This dissertation summarized the GaN crystal growth methods that had been studied, and focused on the hydride vapor phase epitaxy (HVPE) technics.
本文对目前研究比较多的几种生长GaN体单晶的方法进行了综述,主要针对氢化物气相外延(HVPE)技术进行了研究。
4) hydride vapor phase epitaxy
氢化物气相外延
1.
Design and making of hydride vapor phase epitaxy system for growing GaN;
GaN氢化物气相外延生长系统的设计与制作
5) HVPE(hydride vapor phase epitaxy)
氢化物气相外延法
6) HVPE-ELO GaN
HVPE横向外延GaN
补充资料：金属有机化合物气相外延
金属有机化合物气相外延
metalorganic vapor phase epitaxy
物的缺点是价格昂贵。③在图形衬底上或在聚焦离子中选择生长化合物半导体薄膜材料。选择外延是一种直接控制横向尺寸的外延方法。它可以在亚微米级水平上从 实现典型的平面结构沉积至完成任意横向侧面沉 积。MOVPE在本质上通常是平面结构生长的。 但如果应用了卤化物为基的MO源，例如(CZHS) GaCI和(CZHS)ZAICI，则可以进行广阔的生长条 件范围内的GaAs和GaAIAs的选择外延。这样 形成的小面积、亚微米的选择异质结构表明，它是 选择外延在横向限定生长结构中最早应用的。③利 用应变层在超出晶格匹配的体系中扩大外延材料的 生长和应用。这方面原子层外延(ALE)是制备应 变层超晶格(SLS)结构的有力手段，因为ALE可 以被逐层生长模型的自限制机理控制为单原子层生 长。④生长新的化合物材料体系，例如GalnAssb 和GaAIA息Sb，InAssb，GalnP和AIGalnP， GaN和AIN，SIGe，Znse和CdZnTe/ZnTe以 及HgCdTe/CdTe等。此外，MOVPE也用于试制高温超导薄膜。由于MOVPE和LPE一样，需要足够的相图，溶解度和要求与衬底的晶格匹配，因此MOVPE的高温超导薄膜生长过程比较复杂，使之只获得部分的成功。MOVPE生长高温超导薄膜的质量较高和生长速率较快。今后在这方面尚需改进MOVPE技术，优化MO源和了解MO源的分解和表面反应等。在MOVPE材料制成的新器件中，主要有面发光激光器、短波长(0.62一0.67召m)的GalnP/GaAllnP发光管和激光器、应变量子阱激光器和量子阱红外探测器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条