1) high k dielectric technique
高k电介质技术
1.
The crucial techniques of the 45 nm chip technology,such as 193 nm ArF dry/immersion lithography,low and high k dielectric techniques,strained silicon technique and so on,are intruduced.
介绍了45 nm芯片所采用的关键工艺技术:193 nm ArF干法/浸没式光刻技术、低k电介质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。
2) low k dielectric technique
低k电介质技术
4) High-k dielectric films
高k电介质薄膜
1.
research of High-k dielectric films for MOS gate dielectric applications;b.
本文第一部分以溅射沉积SiO_xN_y、TiO_2等高k电介质薄膜为研究主题,研究了溅射工艺对薄膜成分、结构的影响;并以MOS电容栅介质为应用背景,对薄膜电学性能进行了讨论。
6) high-K gate dielectrics
高K栅介质
1.
Preparation and characterization of ZrO_2 thin films as novel high-K gate dielectrics;
新型高K栅介质ZrO_2薄膜材料的制备及表征
补充资料：高分子电介质
分子式：
分子量：
CAS号：
性质：见高分子绝缘材料。
分子量：
CAS号：
性质：见高分子绝缘材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条