1) combining classifiers complementary
多分类器互补集成
2) multiple classifiers combination
多分类器集成
1.
Off-line handwritten amount Chinese characters recognition based on multiple classifiers combination;
基于多分类器集成的手写体金融汉字识别
2.
Research on Clustering Algorithm Based on Multiple Classifiers Combination;
基于多分类器集成的聚类算法研究
3) ensemble classifier
集成分类器
1.
In this paper,the Boosting-based decision tree ensemble classifiers were applied to discriminate thermophilic and mesophilic proteins.
采用Boosting机制的决策树集成分类器对嗜热和常温蛋白进行模式识别。
2.
An improved SVM ensemble classifier;
为了更好地改进集成分类器的性能,提出了一种基于反馈学习的支持向量机Bagging集成分类算法。
4) classifier ensemble
分类器集成
1.
Minimum distance classifier ensemble based on adaptive distance metric;
基于自适应距离度量的最小距离分类器集成
2.
A classifier ensemble method Cagging based on class information was proposed.
提出一种基于类别信息的分类器集成方法Cagging。
5) classifiers ensemble
分类器集成
1.
A classifiers ensemble approach based on Principal Component Analysis (PCA) was proposed.
设计了一种基于主成分分析的分类器集成方法。
2.
Theoretic analysis and experiment results show that the classifiers ensemble method is efficient for pattern recognition.
提出了一种基于聚类选择的分类器集成方法,通过聚类把模式特征空间划分成不相交的区域,对于初始分类器集合,各区域给出分类器的删除分值,各分类器总分值确定其删除优先级别,由删除优先级别选择一组分类器组成集成。
3.
Classifiers combination can also be called classifiers ensemble.
多分类器联合,又称多分类器组合、多分类器集成,在模式识别研究中,该技术可以显著地提高模式识别的性能,受到研究人员的极大关注。
6) Composition Compensation
成分互补
1.
The Effect of the Melt Thermal Treatment with Composition Compensation on the Microstructure of the Primary Silicon of the Silumin
成分互补熔体温度处理对高硅铝合金的初生硅相组织的影响
补充资料：互补金属-氧化物-半导体集成电路
基本单元电路反相器由N沟道和P沟道 MOS场效应晶体管对管（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路和N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）构成，以推挽形式工作,能实现一定逻辑功能的集成电路,简称CMOS。单元电路如图1。CMOS电路的特点是：①静态功耗低,每门功耗为纳瓦级；②逻辑摆幅大,近似等于电源电压;③抗干扰能力强,直流噪声容限达逻辑摆幅的35％左右;④可在较广泛的电源电压范围内工作,便于与其他电路接口；⑤速度快，门延迟时间达纳秒级；⑥在模拟电路中应用，其性能比NMOS电路好；⑦与NMOS电路相比，集成度稍低；⑧有"自锁效应"，影响电路正常工作。
根据工艺的不同,CMOS电路可分为二类:①体硅CMOS电路已由初期的铝栅隔离环工艺发展成为硅栅等平面氧化物隔离工艺（见隔离技术）；②蓝宝石上外延硅CMOS电路，与体硅工艺相比，具有结电容和寄生电容小、功耗低、传输延迟小、封装密度高、抗辐射力强、无自锁效应和设计灵活等优点，但也有寄生边缘漏电和背沟道漏电、迁移率低、悬浮衬底引起的电荷存储效应等缺点。图2为上述两种CMOS电路结构示意图。
高性能CMOS电路（见高性能金属-氧化物-半导体集成电路）是CMOS电路和NMOS电路相结合的电路形式，在P型硅衬底上制作N阱的CMOS电路，可与NMOS电路在同一芯片上实现兼容，从而获得高集成度和低功耗。这为超大规模集成电路降低功耗提供了有效途径。
参考书目
史常忻：《CMOS集成电路》,江苏科学技术出版社,南京，1979。
根据工艺的不同,CMOS电路可分为二类:①体硅CMOS电路已由初期的铝栅隔离环工艺发展成为硅栅等平面氧化物隔离工艺（见隔离技术）；②蓝宝石上外延硅CMOS电路，与体硅工艺相比，具有结电容和寄生电容小、功耗低、传输延迟小、封装密度高、抗辐射力强、无自锁效应和设计灵活等优点，但也有寄生边缘漏电和背沟道漏电、迁移率低、悬浮衬底引起的电荷存储效应等缺点。图2为上述两种CMOS电路结构示意图。
高性能CMOS电路（见高性能金属-氧化物-半导体集成电路）是CMOS电路和NMOS电路相结合的电路形式，在P型硅衬底上制作N阱的CMOS电路，可与NMOS电路在同一芯片上实现兼容，从而获得高集成度和低功耗。这为超大规模集成电路降低功耗提供了有效途径。
参考书目
史常忻：《CMOS集成电路》,江苏科学技术出版社,南京，1979。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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