1) two active regions
两有源区
1.
Thermal relaxation accumulating process and thermal homeostasis distribution of tunnel regeneration semiconductor laser with two active regions are simulated by using the finite element method at different current pulse work with constant temperature boundary conditions.
利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器在不同占空比下工作时的热弛豫积累过程。
2) multiple-active-region
多有源区
1.
The multiple-active-region tunneling-regenerated strained-quantum-well vertical-cavity-surface emitting laser (VCSEL) with a more-than-one differential quantum efficiency is proposed.
提出了一种多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面半导体激光器(VCSEL)结构,其微分量子效率可以大于1,并且可以得到阈值电流小、输出功率大的器件。
2.
A novel multiple-active-region tunneling-regenerated strained-quantum-well vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with a greatef-than-unity differential quantum efficiency is proposed.
本文通过提出具有优点为微分量子效率可以大于1的一种新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,可得到阀值电流更小、输出功率更大的器件。
3.
A novel multiple-active-region tunneling regenerated strained-quantum-well vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL),whose differential quantum efficiency is larger than unity and whose performance is expected to be improved,especially the threshold current is expected to be reduced and the output power is expected to be increased,was designed.
通过对一种微分量子效率可以大于 1的新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器 (VCSELs)结构 ,以及由此设计出的阈值电流更小、输出功率更大的器件与普通结构在反射率及注入电流都相同的条件下输出功率大小的比较及阈值电流密度大小的比较 ,从而在理论上证实了这种VCSELs新型结构的优势。
3) active region
有源区
1.
Because of their high working current density,the output power,lifetime and the spectrum stability may be strongly influenced by the temperature in the active region increasing with injection current.
计算结果表明,热阻变化受芯片宽度和长度的影响较大,可以达到两个数量级;当注入功率达到1 W时,有源区的温度将接近50 K。
4) single active layer
单有源区
5) inGaN active layer
InGaN有源区
6) active base region
有源基区
补充资料：传感器如何进行无源校准及两点特别说明
a)首先读出变送器内部设置的4mA压力值和20mA压力值，看是否与实际的4mA压力值和20mA压力值相一致，若一致，则直接更改4mA压力值和20mA压力值到量程迁移后的压力值即可。
b)如果变送器内部设置的4mA压力值和20mA压力值，与实际的4mA压力值和20mA压力值不一致，可先把实际的4mA压力值和20mA压力值折算到变送器内部设置的4mA压力值和20mA压力值，再折算量程迁移后的压力值，将折算值更改到4mA压力值和20mA压力值便可。例如：假设一台变送器量程为-10bar－50bar，想将量程迁移到10bar-40bar，读出变送器内部设置的4mA 压力值和20mA压力假设为0-10Kpa,进行如下折算：－10bar 和0相对应,50bar和10Kpa相对应，通过计算，可以计算出折算方程为：P折＝P实/6＋10/6('P折'为折算后的压力值，'P实'为实际压力值）,由此方程可计算出折算后4mA压力值应为：10/6+10/6=3.333KPa,折算后20mA的压力值应为：40/6+10/6=8.333KPa, 于是可以通过组态软件将变送器内部的4mA压力值设置为3.333,将20mA压力值设置为8.333便可。
特别说明：
1）量程迁移只能在原量程范围内迁移，若迁移超出原量程范围，则变送器的线性度变会变差。
2）进行无源校准时，量程迁移不可过大，迁移比最好不要大于3:1，过大会造成变送器输出不稳定，而且分辨率较低。大迁移比量程迁移在要先进行增益设置，再进行输入压力校准。
b)如果变送器内部设置的4mA压力值和20mA压力值，与实际的4mA压力值和20mA压力值不一致，可先把实际的4mA压力值和20mA压力值折算到变送器内部设置的4mA压力值和20mA压力值，再折算量程迁移后的压力值，将折算值更改到4mA压力值和20mA压力值便可。例如：假设一台变送器量程为-10bar－50bar，想将量程迁移到10bar-40bar，读出变送器内部设置的4mA 压力值和20mA压力假设为0-10Kpa,进行如下折算：－10bar 和0相对应,50bar和10Kpa相对应，通过计算，可以计算出折算方程为：P折＝P实/6＋10/6('P折'为折算后的压力值，'P实'为实际压力值）,由此方程可计算出折算后4mA压力值应为：10/6+10/6=3.333KPa,折算后20mA的压力值应为：40/6+10/6=8.333KPa, 于是可以通过组态软件将变送器内部的4mA压力值设置为3.333,将20mA压力值设置为8.333便可。
特别说明：
1）量程迁移只能在原量程范围内迁移，若迁移超出原量程范围，则变送器的线性度变会变差。
2）进行无源校准时，量程迁移不可过大，迁移比最好不要大于3:1，过大会造成变送器输出不稳定，而且分辨率较低。大迁移比量程迁移在要先进行增益设置，再进行输入压力校准。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条