1) Al-free active region
无铝有源区
1.
InGaAsP/GaInP/AlGaInP Al-free active region materials were grown by MOCVD,and standard quasi-continuous-wave bars were fabricated.
外延生长了InGaAsP/GaInP/AlGaInP无铝有源区808 nm激光器材料,制作了标准准连续(QCW)单条器件。
2) organic aluminum source
有机铝源
3) passive and active
无源有源
4) active lossless
有源无损
5) multiple-active-region
多有源区
1.
The multiple-active-region tunneling-regenerated strained-quantum-well vertical-cavity-surface emitting laser (VCSEL) with a more-than-one differential quantum efficiency is proposed.
提出了一种多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面半导体激光器(VCSEL)结构,其微分量子效率可以大于1,并且可以得到阈值电流小、输出功率大的器件。
2.
A novel multiple-active-region tunneling-regenerated strained-quantum-well vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with a greatef-than-unity differential quantum efficiency is proposed.
本文通过提出具有优点为微分量子效率可以大于1的一种新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,可得到阀值电流更小、输出功率更大的器件。
3.
A novel multiple-active-region tunneling regenerated strained-quantum-well vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL),whose differential quantum efficiency is larger than unity and whose performance is expected to be improved,especially the threshold current is expected to be reduced and the output power is expected to be increased,was designed.
通过对一种微分量子效率可以大于 1的新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器 (VCSELs)结构 ,以及由此设计出的阈值电流更小、输出功率更大的器件与普通结构在反射率及注入电流都相同的条件下输出功率大小的比较及阈值电流密度大小的比较 ,从而在理论上证实了这种VCSELs新型结构的优势。
6) two active regions
两有源区
1.
Thermal relaxation accumulating process and thermal homeostasis distribution of tunnel regeneration semiconductor laser with two active regions are simulated by using the finite element method at different current pulse work with constant temperature boundary conditions.
利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器在不同占空比下工作时的热弛豫积累过程。
补充资料：有机铝源
分子式：
CAS号：
性质：指用于金属有机化合物气相沉积(MOCVD)具有很高挥发性的有机铝及有机铝加合物的化合物。主要有三甲基铝[(CH3)3A1]、三乙基铝[(C2H5)3A1]、三异丁基铝[(C4H9)3A1]、二异丁基氢化铝[(C4H9)2A1H]、二甲基氢化铝[(CH3)2A1H]、二甲基氢化铝三甲胺加合物[(CH3)2A1HN(CH3)3]、二乙基氢化铝三甲胺加合物[(C2H5)2AIH(CH3)3N]、三乙胺铝烷[A1H3N(CH3)3]。主要用于MOCVD生长A1GaAs，A1GalnP，用作高速光电和数字器件。
CAS号：
性质：指用于金属有机化合物气相沉积(MOCVD)具有很高挥发性的有机铝及有机铝加合物的化合物。主要有三甲基铝[(CH3)3A1]、三乙基铝[(C2H5)3A1]、三异丁基铝[(C4H9)3A1]、二异丁基氢化铝[(C4H9)2A1H]、二甲基氢化铝[(CH3)2A1H]、二甲基氢化铝三甲胺加合物[(CH3)2A1HN(CH3)3]、二乙基氢化铝三甲胺加合物[(C2H5)2AIH(CH3)3N]、三乙胺铝烷[A1H3N(CH3)3]。主要用于MOCVD生长A1GaAs，A1GalnP，用作高速光电和数字器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条