1) fringing induced barrier lowering(FIBL)
边缘诱导的势垒降低
2) drain-induced barrier lowering
漏致势垒降低
1.
Simulated results show that,in long-channel semiconductor devices,the conduction of bulk current changes into a space charge-limited mode due to the increase of drain-source voltage,which is the main reason for the unsaturated output current,and that,in short-channel semiconductor devices,the drain-induced barrier lowering effect should be meanwhile considered.
仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为空间电荷限制传导,此即为器件中产生不饱和输出电流的主要原因;而在短沟道器件中,还需要同时考虑漏致势垒降低效应的影响。
3) fringing induced barrier shielding (FIBS)
边缘感应势垒屏蔽(FIBS)
4) DIBL effect
漏感应势垒降低效应
1.
The surface potential model in the deep submicrometer FD device is presented by introducting some new parameters to describe the DIBL effect.
通过对全耗尽 SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似 ,求解亚阈区的二维泊松方程 ,得到全耗尽器件的表面势公式 ;通过引入新的参数 ,对公式进行修正 ,建立深亚微米全耗尽器件的表面势模型 ,能够很好地描述漏感应势垒降低效应 。
5) DIBL
漏致势垒降低效应
6) edge crack director
边缘型诱导缝
1.
Experimental study on equivalent strength for penetrated crack director and edge crack director in RCC;
碾压混凝土穿透型和边缘型诱导缝等效强度的试验研究
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条