1) injection barrier
注入势垒
1.
The insertion of this ultra-thin film results in a similar reduction of the hole injection barrier,which is related to the thickness of the film.
Nb2O5层的引入,降低了空穴注入势垒,增强了空穴注入,同时有效阻挡了ITO中In向有机层的扩散,减少了发光猝灭中心的形成,提高了器件的亮度和效率。
2) hole injection barrier
空穴注入势垒
1.
Analogy of hole injection barrier indicates that the interface barrier of ITO is lowered after being treated with the high frequency discharge method using hole-only devices.
用单载流子器件模拟表明ITO经高频放电处理后降低了器件界面的空穴注入势垒。
3) ion implanted barrier
离子注入势垒
6) F ions implantation and etching of barrier layer
F离子注入和势垒层腐蚀
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条