说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管
1)  metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistor(MOS-HEMT)
金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管
2)  metal-insulator-semiconductor HEMT
金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管
3)  high voltage most
高压金属氧化物半导体晶体管
4)  power supply/metal-oxide-semiconductor transistor
高压电源/金属-氧化物-半导体场效应晶体管
5)  single device mos gate
单金属氧化物半导体晶体管式门电路
6)  electron tube / MOS transistor
电子管/金属氧化物半导体管
补充资料:金属
分子式:
CAS号:

性质:具有特有的金属光泽以及良好导电导热性的固态或液态单质。在固态时还具有延展性。大多数元素是金属元素,其特性由元素原子结构和晶体内部结构决定:原子电负性小,吸引电子能力不大,聚集状态时电子流动性大;价层s、p电子少,常形成密堆集晶体结构,如立方面心密堆集、六方密堆集及体心立方堆砌结构。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条