1) buried-gate
埋栅
1.
Compared with the recessed gate structure, buried-gate structure device reduced the influence of surface-trap on the current and achieved larger saturated leak current.
与凹栅结构相比,埋栅结构的器件降低了表面陷阱对电流的影响,饱和漏电流提高了37%,而且阈值电压的绝对值增大、跨导升高,对提高4H-SiCMES-FET器件的输出功率起到一定的作用。
2) buried gate structure
掩埋栅结构
1.
Using the silicon direct bonding process to replace the high resistivity epitaxy process, a bonding buried gate structure differ from epitaxial structure is formed.
用SI/SI键合技术代替高阻厚外延工艺,制造出一种不同于外延掩埋栅结构的掩埋栅结构——键合掩埋栅结构,从制造工艺和器件结构上提高了VGK。
3) embedded grating
埋入式光栅
1.
The 0th resonant diffraction characteristic of the embedded grating with incident angle of 45° is analyzed by the rigorous coupled-wave theory.
利用严格耦合波理论分析了埋入式光栅在45°入射时,垂直和平行于光栅栅线的两个不同观察平面的零级共振反射衍射特性。
4) buried contact silicon solar cells
埋栅硅太阳电池
5) embedded fiber grating
埋入式光纤光栅
6) Pt buried-gate b arrier
Pt基埋栅势垒
补充资料：X线滤线栅半径
X线滤线栅半径
放射学术语。又称栅-焦距。呈弧形排列的滤线栅铅条与充填物高度的延长线于空间聚焦为一点，此聚焦点到栅平面的垂直距离为栅-焦距。用于聚焦式滤线栅。栅-焦距有75、90、100、120、200cm 几种。使用聚焦式滤线栅时，原则
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参考词条