1) planar type buried gate structure
平面型埋栅结构
2) buried gate structure
掩埋栅结构
1.
Using the silicon direct bonding process to replace the high resistivity epitaxy process, a bonding buried gate structure differ from epitaxial structure is formed.
用SI/SI键合技术代替高阻厚外延工艺,制造出一种不同于外延掩埋栅结构的掩埋栅结构——键合掩埋栅结构,从制造工艺和器件结构上提高了VGK。
3) DFB (distributed Feedback)
P型衬底平面埋层异质结构(PFBH)
4) planarized structure
平面型结构
5) planer buried heterostructure
平面掩埋型异质结<光>
6) flat grid structure
平栅极结构
1.
So,a triode structure was designed by studying the flat grid structure.
研究了碳纳米管(CNT)场发射显示器(FED)三电极结构的平栅极结构,得到了进一步降低场致发射的开启电压和缩小动态调制电压范围的方法,同时也为相关的场发射安全操作提供了借鉴。
补充资料：平面型铁氧体
分子式：
CAS号：
性质：超高频范围内使用的一类软磁铁氧体。具有磁铅石型结构。其化学式为BaMFe16O27，BaMFe12O22，BsMFe24O41，可分别简写为MW，MY，MZ（M为钴、锌、镍、锰、镁等二价金属离子或他们的混合物）。他们的特点是在高频磁场作用下，平面偏振的电磁波在铁氧中按一定方向传播时，偏振面会不断绕传播方向旋转，即易磁化轴在偏振平面上，截止频率较高。饱和磁化强度Ms0.16～0.339T。用这类铁氧体已制成频率高达2GHz以上、磁导率与品质因数的乘积，μQ值超过100的产品。主要用于扫频磁芯、电调电感器、宽频变压器等。
CAS号：
性质：超高频范围内使用的一类软磁铁氧体。具有磁铅石型结构。其化学式为BaMFe16O27，BaMFe12O22，BsMFe24O41，可分别简写为MW，MY，MZ（M为钴、锌、镍、锰、镁等二价金属离子或他们的混合物）。他们的特点是在高频磁场作用下，平面偏振的电磁波在铁氧中按一定方向传播时，偏振面会不断绕传播方向旋转，即易磁化轴在偏振平面上，截止频率较高。饱和磁化强度Ms0.16～0.339T。用这类铁氧体已制成频率高达2GHz以上、磁导率与品质因数的乘积，μQ值超过100的产品。主要用于扫频磁芯、电调电感器、宽频变压器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条