1) hot electron injection and trapping
热电子注入和俘获
2) electron trapping and acceleration
电子俘获和加速
3) electron trapping
电子俘获
1.
Methods of electron trapping correction in CdZnTe coplanar-grid detector;
CdZnTe共面栅探测器的电子俘获修正方法
2.
In conclusion, electron trapping material is.
用固相反应法制备了SrS :Eu ,Sm电子俘获材料 ,根据电子俘获材料可存储、可擦除及饱和特性等实现了在图像存储、布尔逻辑运算及图像微分等方面的应用 。
3.
The rare earth electron trapping optical storage is new type storage technology.
电子俘获光存储技术是一种新型的存储技术,它突破了现有的光存储介质的存储机制,可实现大密度稳定可重复擦写存储。
4) Electron trapping materials
电子俘获
1.
Optical IPA(Interpattern association) neural network model is implemented using CaS(Eu, Sm) electron trapping materials synthesized by the authors.
报道用自行研制的ＣａＳ（Ｅｕ，Ｓｍ）电子俘获材料表示互联权重矩阵以实现光学ＩＰＡ神经网络模型。
5) electron capture
电子俘获
1.
Auger electron energies and their absolute intensities calculation associated with electron capture decay;
伴随电子俘获衰变的俄歇电子能量及强度计算
2.
By using 4π△Eβ-γ coincidence technique, the γ intensity of neutron-deficient nuclides followed by electron capture is strongly suppressed, but the coincidence efficiency about γ line followed by 100% β- decay in neutron-rich Hgnuclides reaches highly 60%.
利用４π△Ｅβ－γ符合的技术使缺中子核素中来自电子俘获的γ线强度受到了很大的抑制，而对以１００％β－方式衰变的丰中子Ｈｇ同位素的γ线具有６０％的符合探测效率。
3.
Taking the nuclide 55Co and 54Mn as examples,the rate of Gamow-Teller transition electron capture of the crusts of Neutron stars were in a strong magnetic field investigated.
以核素55Co和54Mn为例,讨论了强磁场下的中子星外壳层Gamow-Teller跃迁(G-T)电子俘获率。
6) electron-trapping
电子俘获
1.
In this paper the optical spectral properties and electron-trapping mechanism .
本文报道了有关的光谱特性和电子俘获机制。
补充资料：热电子（hotelectron）
热电子（hotelectron）
半导体中的电子可以吸收一定能量（如光子、外电场等）而被激发，处于激发态的电子称为热电子，处于激发态的电子可以向较低的能级跃迁，如果以光辐射的形式释放出能量，这就是半导体的发光现象。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条