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1)  pLEDMOS
p型横向延伸漏金属氧化物半导体管
2)  buried-channel PMOSFET
埋沟P型金属-氧化物-半导体场效应晶体管
3)  pmos transistor
p 沟道金属氧化物半导体晶体管
例句>>
4)  HV LDMOS
高压横向扩散金属氧化物半导体
5)  LDMOS
横向扩散金属氧化物半导体
1.
Taking LDMOS RF power amplifier as example,electro-thermal model of LDMOS FET was introduced.
以横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管射频功率放大器为例,介绍了LDMOS FET电热效应模型,理论推导了LDMOS FET的结温与其耗散功率的量化关系,揭示了射频功率放
2.
14 GHz high efficiency class-E power amplifier based on LDMOS transistors.
14GHz频段横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的高效率E类功率放大器。
6)  p channel mos
p 型沟道金属氧化物半导体
补充资料：延伸
1.延长伸展。
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参考词条