1) metal oxide semiconductor transistor(MOST)
金属氧化物半导体管
3) electron tube / MOS transistor
电子管/金属氧化物半导体管
4) MOSFET
['mɔsfet]
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
1.
An efficient,self-consistent method of Monte Carlo and Poisson equation is used to simulate the electrical characteristic of deep submicron metal-oxide-semiconductor field effect Transistor(MOSFET).
用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管——MOSFET的电特性进行了模拟。
5) loss/metal oxide semiconductor field effect transistor
损耗/金属氧化物半导体场效应晶体管
6) control/MOSFET
控制/金属-氧化物-半导体-场效应晶体管
补充资料：金属
分子式：
CAS号：
性质：具有特有的金属光泽以及良好导电导热性的固态或液态单质。在固态时还具有延展性。大多数元素是金属元素，其特性由元素原子结构和晶体内部结构决定：原子电负性小，吸引电子能力不大，聚集状态时电子流动性大；价层s、p电子少，常形成密堆集晶体结构，如立方面心密堆集、六方密堆集及体心立方堆砌结构。
CAS号：
性质：具有特有的金属光泽以及良好导电导热性的固态或液态单质。在固态时还具有延展性。大多数元素是金属元素，其特性由元素原子结构和晶体内部结构决定：原子电负性小，吸引电子能力不大，聚集状态时电子流动性大；价层s、p电子少，常形成密堆集晶体结构，如立方面心密堆集、六方密堆集及体心立方堆砌结构。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条