1) Focusing ion etching
聚焦离子刻蚀
2) focused ion beam etching
聚焦离子束刻蚀
3) focused ion beam lithography
聚焦离子束光刻
4) ion etching
离子刻蚀
1.
The distribution of C, O, N, Cl elements in ternary polyurethane/epoxy/poly-B-propylene glycol diacrylate(PUR/EP/PPGDA) IPNs' surface was analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy and the internality was analyzed with argon ion etching.
用X射线光电子能谱(XPS)分析了以聚氨酯(PUR)为第一网络的PUR/环氧树酯/聚-β-丙二醇二丙烯酸酯互穿聚合物网络(PUD/EP/PPGDA IPN)弹性体的表面元素分布,并用氩离子刻蚀进行材料内部元素分析。
2.
In order to make high quality junctions we have done some researches on reaction ion etching(RIE) method and ion etching method.
在制备所有的NbN超导隧道结的过程中,为了得到良好的隧道结,刻蚀是很关键的一步,我们对反应离子刻蚀(RIE)和离子刻蚀两种不同的方法进行了研究比较。
3.
This paper applies the thermal spikes effect and ion etching effect to explain the formation of DLC films by analyzing the effects of energy particles.
本文通过分析荷能离子的作用，应用热峰效应和离子刻蚀效应来解释ＤＬＣ膜的形
5) Ion etching
离子蚀刻
1.
The speed of etching the sample was determined by controling the size ofion beam and voltage of two pole of ion beam,By the technigue of ion etching,themicroshape of the mite leg and the mite boby of the Tetranychus truncatus Ehara wasclearly displayed under Scaning Electronic Microscope(SEM).
本文以截形叶螨为实验样品，经离子蚀刻后在扫描电镜下观察，清晰地显示了螨足、螨体解剖后的显微结构。
6) Ion etch
离子刻蚀
1.
The theory of ion etching and the parameter of ion source designing are discussed in detail.
并且详细论述离子刻蚀的原理以及离子源的参数设计。
补充资料：离子束刻蚀（ion-beametching）
离子束刻蚀（ion-beametching）
离子束刻蚀，也称为离子铣，它的主要原理是当定向高能离子向固体靶撞击时，能量从入射离子转移到固体表面原子上，如果固体表面原子间结合能低于入射离子能量时，固体表面原子就会被移开或从表面上被除掉。通常离子束刻蚀所用的离子来自惰性气体。为了保证刻蚀的均匀性，离子束密度必须均匀并且应具有相同能量。此外，系统内的压力必须足够低，以防止离子束被散射。离子束刻蚀的机构决定了这种刻蚀有好的各向异性，又因为粒子尺寸是离子或原子量级的，因而这种刻蚀也具有较高的分辨率。这种技术的主要限制是刻蚀过程引起温升，这将使光刻胶很难除掉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条