1) diffusion depth
扩散深度
2) deep boron diffusion
高浓度硼深扩散
1.
Research on deep boron diffusion etch-stop layer silicon wafer process;
高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片工艺研究
3) thermal diffusivity depth profile
热扩散深度剖析
4) chloride diffusion depth
氯离子扩散深度
1.
The influence of damage caused by freeze-thaw cycles on the performance of chloride diffusion of concrete is studied by the experiments of free chloride concentration titration and chloride diffusion depth.
通过自由氯离子滴定试验和氯离子扩散深度试验研究了冻融损伤对混凝土氯离子扩散性能的影响。
5) deep diffusion
深扩散
6) diffused-junction
扩散结深
1.
The coloration solution was applied to determined the width of diffused-junction,in order to distinguish the speciality of etching,different concentration coloration were tested to B,Al and P impurity diffused-junction for electing the proper coloration which had good repetitiveness and could be easily controlled.
同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比,根据测试结果与理论分析,对染色法的测试结果进行修正,确定P扩散结深的测试系数。
补充资料：BCS穿透深度（BCSpenetrationdepth）
BCS穿透深度（BCSpenetrationdepth）
对纯超导体，由BCS电流方程，在伦敦极限下（`\xi_0\lt\lt\lambda`或$l\lt\lt\xi_0$）的穿透深度与伦敦穿透深度λL(T)相符。对非纯超导体（含杂质），在伦敦极限下为
$\lambda(T)=\lambda_L(T)(1 \xi_0//l)^{1/2}$
一般地，λL(T)由经验公式表示其与温度T的关系（见“伦敦穿透深度”）。在皮帕德极限下（$\xi_0\gt\gt\lambda$或$\xi_0\lt\ltl$），ξp=ξ0，则给出为
$\lambda(T)=\frac{8}{9}\lambda_L(T)[\frac{sqrt3\xi_0}{2\pi\lambda_L(T)}]^{1/3}$
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条