1) charging set/IGBT
充电装置/绝缘栅双极型晶体管
2) isolation gate bipolar transistor(IGBT)
绝缘栅极双极型晶体管
3) package / insulated gate bipole transistor
封装/绝缘栅双极晶体管
4) insulated gate bipolar transistor
绝缘栅双极型晶体管
1.
The dynamic over-voltage in the series connection of IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) of high-voltage and high-power inverter equipment is investigated,and a quick feedback controlling method based on the bang-bang control is presented to control the component voltages of the equipment,with the aim of restraining the dynamic over-voltage of two series components.
对高压大功率变流设备中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联应用的动态过压问题进行了研究,提出了一种基于磅磅控制原理的快速反馈控制方法对器件端压进行控制,以抑制串联器件间的动态过压。
5) insulated gate bipolar transistor(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
6) IGBT
绝缘栅双极型晶体管
1.
Study on IGBT drive and protection circuit;
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动及保护电路的研究
2.
The model IGBT 1 in saber for IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) is introduced firstly,and its equivalent circuitry is presented.
介绍了Saber下绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)通用模型中IGBT1模型的等效电路,分析了IGBT1模型的静态和动态工作特性,包括直流传输特性、IGBT并联时的电流分配问题、IGBT导通过程等,并提供了Saber下IGBT1模型与静态、瞬态过程有关的参数取值。
3.
Combined with the design of brushless DC electric motor controller,a method to estimate power loss of IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) based on PSPICE simulation is proposed.
结合无刷直流电机控制器的设计,提出了基于PSPICE仿真的绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)功率损耗的估算方法。
补充资料:充电装置
充电装置
charging device
电抗器交流绕组的压降,使整流器输出的直流电压得到调整,达到自动稳定的目的。图1为带调压系统的饱和电抗器式硅整流器的原理方框图。极由移相脉冲发生器中的脉冲变压器输出脉冲触发。当电源电压或负荷变动时,由于触发脉冲相位不同,晶闸管的导通角不同,整流输出的直流电压亦不同,以此「一一一一一一一一一一一一一飞丽一一一一 ┌───┐ ┌────┐ ┌─────┐ │饱和 │ │泊故映I │┌──┐ │厂’ │ │电抗. │ │ ││ │ │ │ └───┘ └────┘│ │ └─────┘ └──┘ ┌────┐ ┌────┐ │ 手动 │ │标准皿翻│ │调盆回路│ │ │ └────┘ └────┘ ┌─────┬────┐ ┌─────┐┌────┐│过“}l │.泥取禅 │ │粗压取禅 ││过电压 ││保护电璐!}│ │ │ ││保护电璐│└─────┴────┘ └─────┘└────┘ ┌────┐ │单相桥式│ │半控电璐│ └────┘ ]自动润盛回路.压.流转换开关‘-一___一一_~_一_________习 图1硅整流器原理方框图 主电路三相交流输人电源经交流接触器、主熔断器、主变压器一次绕组,再由主变压器二次绕组经由电流互感器、饱和电抗器的交流绕组接到三相硅整流桥,整流后经过电感和电容组成的滤波器,将三相交流电源变成脉动电压符合要求的直流电源。 饱和电抗器每相由两个口字形铁芯组成,分别绕有相同的两个交流绕组、控制绕组和位移绕组。交流绕组与整流元件串联,通过的是整流后的脉动电流,其直流成份产生的磁场将影响铁芯的饱和程度。控制绕组通过直流产生直流控制磁场,其方向与交流绕组方向相同,改变控制磁场的大小.可改变交流绕组的压降,从而改变整流器的输出。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条