1) LIGBT
横向绝缘栅双极晶体管
1.
Based on the mechanisms that on-state resistance of SOI LIGBT is affected,the on-state resistance is divided and modeled mainly into three parts: the channel resistance,drift region resistance and buffer region resistance.
在研究影响绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管通态电阻物理机制的基础上,将通态电阻分解为沟道电阻、漂移区电阻和缓冲层电阻。
2.
Controlled hole injection LIGBT (CI LIGBT) is proposed in the paper,which can effectively control the hole injection with high anode voltage,and its latch up free characteristics can be improved.
本文提出空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管 (CI LIGBT) ,可有效控制高压下阳极区空穴注入 ,提高器件的抗闩锁性能 。
2) isolation gate bipolar transistor(IGBT)
绝缘栅极双极型晶体管
3) IGBT
绝缘栅双极晶体管
1.
Principle and analysis of charger with IGBT;
绝缘栅双极晶体管(IGBT)充电器的原理及分析
2.
The Study of IGBT Welding Inverter;
绝缘栅双极晶体管弧焊逆变器的研究
3.
Development of IGBT;
IGBT绝缘栅双极晶体管发展简述
4) insulated gate bipolar transistor
绝缘栅双极晶体管
1.
Comparison was made between the mainstream device insulated gate bipolar transistor IGBT of power electronic device and other power electronic device in performances, putting forth that IGBT should according to actual conditions take relevant measures, then IGBT in application can be assured with good results, and IGBT will be assured in safe and reliable operation.
将电力电子装置中的主流器件绝缘栅双极晶体管IGBT与其它电力电子器件性能进行了比较。
5) package / insulated gate bipole transistor
封装/绝缘栅双极晶体管
6) insulated gate bipolar transistor
绝缘栅双极型晶体管
1.
The dynamic over-voltage in the series connection of IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) of high-voltage and high-power inverter equipment is investigated,and a quick feedback controlling method based on the bang-bang control is presented to control the component voltages of the equipment,with the aim of restraining the dynamic over-voltage of two series components.
对高压大功率变流设备中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联应用的动态过压问题进行了研究,提出了一种基于磅磅控制原理的快速反馈控制方法对器件端压进行控制,以抑制串联器件间的动态过压。
补充资料：绝缘栅双极型晶体管
绝缘栅双极型晶体管
insulated gate bipolar transistor,IGBT
IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。 主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。 门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。 发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号 和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条