1) step barrier
阶梯势垒
1.
Low voltage organic light-emitting devices with step barrier layer;
具有阶梯势垒的低压有机电致发光器件
2) step-magnetic barriers
磁台阶势垒
3) step well
阶梯势阱
4) topographical unit
地势阶梯
1.
Through rectifying and restatistics of the peat reserve data attached to “REPORT ON PEAT RESOURCES IN CHINA”, this paper deals with the spatial pattern of peat distribution among provinces, three topographical units and climatic zones respectively.
对不同地貌类型而言 ,一级地势阶梯泥炭蕴藏量丰富 ;高原泥炭储量大 ,多集中分布 ,且以负地貌单元为泥炭的主要分布区 。
5) trapezoidal barrier parameters
梯形势垒参数
6) potential barrier
势垒，位垒
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条