1) III-nitride
III族氮化物
1.
Research Applications in III-nitrides with Cathodoluminescence Unitized Systems;
阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用
2) III-nitride nanowires
III族氮化物纳米线
3) III-Nitride semiconductors
III族氮化物半导体
4) III-V group elements compound semiconductor
III-V族化合物半导体
5) nitride
[英]['naitraid] [美]['naɪtraɪd]
Ⅲ族氮化物
1.
Progress of Investigation on the Transport Properties of Ⅲ-nitrides and Their Two-dimensional Electron Gas;
Ⅲ族氮化物及其二维电子气输运特性的研究进展
2.
Current collapse and two dimensional electron gas in Ⅲ-nitride HFET;
Ⅲ族氮化物HFET中的电流崩塌和二维电子气
6) group Ⅲ nitrides
族氮化物材料
补充资料：III-V族化合物半导体
分子式：
CAS号：
性质：元素周期表中III族的B，Al，Ga，In和V族的N，P，As，Sb形成的化合物半导体材料。III-V族化合物的表示式为A(III)B(V)，如BN，BP，BAs，BSb，AlN，AlP，AlAs，AlSb，GaN，GaP，GaAs，GaSb，InAs，InN，InP和InSb。其中BN，AlN，GaN和InN是纤维锌矿结构，其余十二种为闪锌矿结构。III-V族化合物的一个重要特点是含有一个V族的挥发性组元，在它们熔点时，存在一个V族元素的离解压，以磷化物离解压为最高。III-V族半导体化合物制备方法有以下几种：液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)，水平区熔法(HB)和垂直梯度凝固法(VGF)等。薄膜制备方法有液相外延(LPE)，气相外延(VPE)，分子束外延(MBE)，化学束外延(LBE)和金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)等。III-V族化合物半导体材料在光电子器件，光电集成，超高速微电子器件和超高频微波器件及电路上得到重要应用，有广阔前景。
CAS号：
性质：元素周期表中III族的B，Al，Ga，In和V族的N，P，As，Sb形成的化合物半导体材料。III-V族化合物的表示式为A(III)B(V)，如BN，BP，BAs，BSb，AlN，AlP，AlAs，AlSb，GaN，GaP，GaAs，GaSb，InAs，InN，InP和InSb。其中BN，AlN，GaN和InN是纤维锌矿结构，其余十二种为闪锌矿结构。III-V族化合物的一个重要特点是含有一个V族的挥发性组元，在它们熔点时，存在一个V族元素的离解压，以磷化物离解压为最高。III-V族半导体化合物制备方法有以下几种：液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)，水平区熔法(HB)和垂直梯度凝固法(VGF)等。薄膜制备方法有液相外延(LPE)，气相外延(VPE)，分子束外延(MBE)，化学束外延(LBE)和金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)等。III-V族化合物半导体材料在光电子器件，光电集成，超高速微电子器件和超高频微波器件及电路上得到重要应用，有广阔前景。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条