1) semi-insulating silicon carbide
半绝缘碳化硅
1.
Semi-insulating silicon carbide (SiC) can be used for many applications related to high power device, deep submicron device, and microwave power device technology.
半绝缘碳化硅(SiC)材料对于SiC器件的制作和性能具有非常重要的意义,特别是对功率器件、深亚微米器件和微波功率器件更是如此。
2) SiCOI
绝缘体上碳化硅
3) SIPOS,semi-insulation polysilicon
半绝缘多晶硅
4) semi-insulating polycrystalline silicon
半绝缘性多晶硅
6) SiO2 insulation layer
二氧化硅绝缘层
补充资料：碳化硅半导体材料
分子式：
CAS号：
性质：属Ⅳ族化合物半导体。为共价键晶体，有闪锌矿型和铅锌矿型两种结晶形式。密度3.2g/cm3。熔点2830℃，本征电阻率(1～0.7)Ω·cm。禁带宽度2.99～42.6eV。电子迁移率300～900cm2/(V·s)，介电常数9.72～10.32。采用艾奇逊(Acheson)法合成。硅过量时为n型半导体，碳过量时为p型半导体。主要用于制造避雷器阀片和压敏电阻器。
CAS号：
性质：属Ⅳ族化合物半导体。为共价键晶体，有闪锌矿型和铅锌矿型两种结晶形式。密度3.2g/cm3。熔点2830℃，本征电阻率(1～0.7)Ω·cm。禁带宽度2.99～42.6eV。电子迁移率300～900cm2/(V·s)，介电常数9.72～10.32。采用艾奇逊(Acheson)法合成。硅过量时为n型半导体，碳过量时为p型半导体。主要用于制造避雷器阀片和压敏电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条