1) fractal IP core
分形IP核
2) IP Core
IP核
1.
IP core design of Russian military multi-channel serial bus based on FPGA;
多通道俄制军用串行总线FPGA的IP核设计
2.
The application of IP core-based FIR filter to digital orthogonal transformation;
基于IP核的FIR滤波器在数字正交变换中的应用
3.
Design and FPGA Implementation of a I2C Master Controller IP Core;
一种I~2C主控器IP核的设计与FPGA实现
3) IP
IP核
1.
A 32×32 Multiplier IP Using Booth Algorithm;
基于Booth算法的32×32乘法器IP核设计
2.
Since systemC language was good at behavior description,design method of behavior models and testbenchs using systemC instead of HDL in IP soft core design were introduced in this paper.
以一个通用异步收发器的IP核设计为例,详细讨论整个IP软核的设计流程,重点分析了行为模块和验证模块的设计。
4) IP Cores
IP核
1.
Application of SoC and IP cores design and its application in communications;
SoC及其IP核的设计与其在通信中的应用研究
2.
The design and implementation of the multiplexing SHA-224/256 IP cores
SHA-224/256复用IP核的设计与实现
5) IP core
IP 核
1.
1 device controller IP Core with 8051MCU in it are discussed.
1设备控制器 IP 核的设计原理、验证方法及其系统应用。
6) IP soft core
IP软核
1.
IP Soft Core Design of Full Digital Three-Phase Spwm Signal Generation System;
全数字三相SPWM信号产生系统IP软核设计
2.
IP soft core design of EPON client dedicated chip
EPON用户端专用芯片IP软核设计
3.
0 device controller IP soft core is introduced.
0设备控制器IP软核的设计与实现。
补充资料：再结晶形核
再结晶形核
nucleation of recrystallization
za1Jlejing xinghe再结晶形核(nueleation of reerystallization) 变形材料内无畸变的核及其界面，而通过材料中起作用的位错重排形成大角度晶界的再结晶核心的过程。 形核的主要现象有:(1)再结晶核心是在塑性变形引起的最大畸变处，即那些相对于周围位向有明显差别的局部区域;(2)当变形足以使再结晶开始时，新的晶核优先在某些地方，例如在晶界或三接点处出现;若有其他相的粒子，也可成为择优生核的位置;(3)变形金属加热时形成的再结晶核心的尺寸约1一3井m数量级;(4)溶解微量杂质和高度分散的不溶夹杂物常常抑制生核的长大，有时可使再结晶温度提高几百度。 再结晶核心往往在变形金属中的局部高能区域(如晶界、变形带、大夹杂物周围，孪晶界和自由表面等)优先形成。关于再结晶形核，归纳起来有亚晶长大与聚合(吞并)机制和晶界弓出机制。 亚晶长大机制此机制一般在大变形程度下发生。变形金属中会形成胞状组织(见回复)，在回复阶段发展为亚晶(见亚结构)，其中有些亚晶粒逐渐长大，直到它们和基体间形成易动的大角度晶界(即晶粒之间的取向>10。的晶界)而作为再结晶的晶粒长大。1978年苏联学者葛列里克(C .c.rope服K)的实验表明，亚晶长大的机制是因有三重结点的迁移和相邻两个(或一组的3一5个)亚晶的聚合而形成了再结晶核心。 用透射电镜可看到的亚晶长大比基于两个亚晶聚合的模型所预料的更为强烈，作者由此得出亚晶界迁移起着主要作用(图lb)的结论。此过程实际上经常发生，在铝、镍、Cr一Ni合金、Fe一C一C:合金等的再结晶过程的研究中，都能直接观察到。 在钥、铝、钨、钒、镍、Fe一51合金和AI一Zn一Mg系合金中均能观察到通过亚晶聚合形核的现象。由亚晶热的不稳定性所决定的聚合，取决于其所具有的位错密度;低位错密度的亚晶界消失，而高位错密度的亚晶界迁移并迅速转变为大角度的界面(晶粒之间的取向差大于x5o)(图la)。 在强烈变形材料中，位错密度和相应的弹性能很高，加热时即使位错塞积的弹性平衡只轻微受到扰乱，也足以使强烈的位错开始重排。此过程也引起再结晶核心界面的形成。开始时界面有较大的位向差，经过一定时间后转变为大角度界面。 亚晶中心是一个位错密度和能量最低的稳定区域，需要消耗周围高能量区才能长大为有效的核心，因此随变形量的增大而产生更多的高能量区域是最有利于再结晶形核的。 晶界弓出机制当变形程度较小时(约小于40%)，金属变形不均匀，各个晶粒的位错密度不同，晶界两侧胞状组织的粗细也不相同。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条