1) CZ silicon
CZ硅
1.
The electronic characteristic of nitrogen\|doped CZ silicon is completely different from that of nitrogen\|doped FZ silicon and nitrogen\|undoped CZ silicon .
含氮 CZ硅的电学性能完全有别于含氮的 FZ硅和无氮的 CZ硅 。
2) silicon Cz furnace
硅Cz炉
3) 300mm CZ silicon wafer
300mm CZ硅片
4) Cz method
Cz法
1.
The production techniques included CZ method, casting techniques, Directional solidification techniques, Stepanov method, Rotating disk method, Stockbargar method and seeded vertical gradient freeze method.
介绍了美国、独联体、日本、比利时和以色列用于 8～ 1 2 μm红外系的锗晶体的生产方法 ,包括CZ法、定向结晶法、铸造法、斯捷潘诺夫法、旋转晶片法、斯拉克巴杰法和籽晶垂直梯度凝固法。
5) Czochralski method
CZ法
1.
The effects of growth parameters, such as temperature gradient, pulling rate and rotation rate, on the quality of TeO 2 crystals grown by Czochralski method were studied in this paper.
本文主要讨论CZ法生长TeO2 晶体中温度梯度、拉速、转速等工艺参数对晶体质量的影响 ,分析了晶体开裂、包裹物等宏观缺陷以及位错等微观缺陷的形成机理。
2.
Therefore, in this paper, two directional solidification methods, Czochralski method and electron-beam floating zone melting method, were used to obtain such material.
本文采用切克拉斯基法(CZ法)和电子束区熔法(EBFZM)两种定向凝固方法制备该共晶自生复合材料；借助金相技术、电镜技术、图象处理技术等多种分析测试手段，考察了Si-TaSi_2共晶定向凝固组织和及其相应的工艺规范。
6) + CZ-3A
CZ-3A
补充资料：直拉(CZ)生长中的硅单晶
直拉(CZ)生长中的硅单晶
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说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条