1) mesomorphic material
介晶材料
2) dielectric superlattice material
介电超晶格材料
3) mix-crystal mesoporous TiO2
混晶TiO2介孔材料
1.
Nanometric mix-crystal mesoporous TiO2 was prepared by normal pressure liquid-phase and hydrothermal processes on different composite surfactant templates (CTAB-SDBS, CTAB-PEG6000 PEG6000-SDBS), using TiCl4 as raw materials.
采用TiCl4为原料,以十六烷基三甲基溴化胺(CTAB)、聚乙二醇(PEG400、PEG6000)及十二烷基苯磺酸钠(SDBS)两两组合为复合模板和结构导向剂,利用常压液相-水热合成两步反应制备了纳米混晶TiO2介孔材料。
4) mesoporous material
介孔材料
1.
Preparation nano TiO_2 mesoporous material by soft template;
软模板法制备纳米TiO_2介孔材料
2.
Dynamic modeling and simulation of the mesoporous material and acid red 12~# dye molecule system;
介孔材料-酸性红12染料分子体系动力学模型的建立和模拟
3.
Synthesis, Characterizations and Catalysis of Al-SBA-15 and Fe-SBA-15 Mesoporous Materials;
Al-SBA-15和Fe-SBA-15介孔材料的合成、表征及催化性能研究
5) dielectric materials
介电材料
1.
In this paper,the circuit of measuring bias characteristic of the dielectric materials used electrical elements in the circuit,the inductance and resistance of the line between the clips of the sample and LCR meter,the conductance of the clips,the relation between bias and power of relative elements and the LCR meter is protected were analyzed according to the analysis above.
在分析加偏方法、所用元件、线路残量、加偏电压与相关元件功率的关系与保护方式的基础上，构置了可用于偏压下介电材料的电容量 Ｃｘ 及损耗 ｔａｎ δ不同频率下温度特性测试装置。
2.
Currently the researches and applications on dielectric materials generally focus on electronic products and related areas.
目前对于介电材料的研究与应用一般集中于电子产品及其相关领域,高介电陶瓷材料应用于油品精制领域还是一个新的尝试。
6) dielectric material
介电材料
1.
This paper reviews recent developments in application of polymer/inorganic composites as well as polymer/inorganic nanocomposites in dielectric materials, especially the progress and outlook for the materials with high dielectric constant,high breakdown strength and low dielectric loss.
综述了传统聚合物/无机杂化材料在介电材料领域应用的最新进展,以及聚合物/无机纳米复合材料作为介电材料应用的进展,特别是复合材料作为高储能、高介电强度、低损耗介电材料的研究进展和前景。
补充资料：磁性材料3．非晶态磁性材料
磁性材料3．非晶态磁性材料
Magnetie Materials 3.AmorPhous
值[20〕。一般回火温度T.与非晶态合金的晶化温度Tct和玻璃化温度几有密切关系。一般说，各类非晶态合金的Ts和叭，之间的差别不大，而热处理温度多在T:或叭r下50~100℃处，时间在30一120~之间。 表‘硅桐片和非.态合金的磁损耗参数l取向硅钢IF一B13一513一eZ率为例，在Bm二0.IT(l .kGs)和f~50kHz时磁化的非晶态合金的井值的时效如图8所示。可以看到，温度高，产下降快，一般是不可逆的。使用温度不太高(例如100℃)时，材料的性能不易变坏，图9给出了两种c。基非晶态合金的八可群与使用时间的关系。当几~80℃时，经历1a的八可群约20%。总的说来，不少非晶态合金在100℃使用温度下可用5~10a。打500 105375片厚，mm电阻率，阁·cm总损Pt，mw/kg磁滞损耗八，mw/kg涡流很耗p.，m、v/比(P.+凡)/Pt0.280 .025 1250。96 98 73 120。872.5.5.时效2040汀一一 .找\岌勺┌─────────────┐│-一一‘啥二‘月卜二‘”’ │├─────────────┤│二，材，分于不 │└─────────────┘图9两种c。基非晶态合金在不同频率下的时效 I一co--M。耳zr合金;1一co一Fe一Si一B合金3.制备方法O州义岌10 102 103 10 时间，s图8两种非晶态合金的产值与时间的关系I一Fe7寻Ni刁MosB17S诬2;l一Co67.SFe刁.SNi3MoZBI‘5112a一200℃时;b一150℃时 非晶态合金在使用时，由于环境温度、时间的延续等，使其性能有不同程度的变化，称之为时效。以磁导3.L薄带 任何金属及其合金在液态时，其原子配位是拓扑无序或短程序的。在冷却过程中，如能维持其高温时的原子分布状态，并使之固化，就得到非晶态固体。要做到这一点，只有在极快的冷却速率下，使熔质由熔点T，以上冷却到玻璃化温度，:以下。这个速率不是固定的，它和生成的非晶态固体的性质、成分和尺寸有很大关系。对于非晶态合金薄带，冷速要在105一1少K/s范围，对于纯金属要高达1 ol0K/s以上，并在远低于室温下才能保存。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条