1) metal/porous silicon/silicon structure
金属/多孔硅/硅结构
1.
Based on the influence of mirror image potential on I-V characteristic,the carrier transport process and the voltage drop distribution in metal/porous silicon/silicon structure are analyzed and discussed.
基于Vlkulov等人对金属/多孔硅/硅结构输运特性的研究,分析了载流子在金属/多孔硅/硅结构中的输运过程,研究了各层中电场强度以及电压的分布,讨论了镜像势在正反向偏压下对金属/多孔硅/硅结构I-V特性的影响。
2) metal-doped porous silicon
金属掺杂多孔硅
1.
Study on fabrication and fluorescent property of metal-doped porous silicon;
金属掺杂多孔硅薄膜的制备及荧光光谱研究
4) Metal/Insulation/Silicon (MIS) structures
金属/绝缘层硅(MIS)结构
5) metal induced crystallized poly-crystalline Si film
金属诱导多晶硅
6) SiGe/Si structure
硅锗/硅结构
补充资料：多孔硅球
分子式：
CAS号：
性质：二氧化硅多孔小球。白色。具有大的比表面积。为高孔隙度胶。颗粒范围80目至325目。用作气相色谱吸附剂和载体、液体色谱和凝胶渗透色谱填充剂。有多孔硅球-1(比表面积350～500m2/g)、多孔硅球-2(125～250m2/g)、多孔硅球-3(50～100m2/g)和多孔硅球-4(25～45m2/g)四个牌号。
CAS号：
性质：二氧化硅多孔小球。白色。具有大的比表面积。为高孔隙度胶。颗粒范围80目至325目。用作气相色谱吸附剂和载体、液体色谱和凝胶渗透色谱填充剂。有多孔硅球-1(比表面积350～500m2/g)、多孔硅球-2(125～250m2/g)、多孔硅球-3(50～100m2/g)和多孔硅球-4(25～45m2/g)四个牌号。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条