1) Ge crystal
晶体Ge
1.
One-dimensional dynamic semiconductor model was presented for the laser ablation of Ge crystal in a background gas (He) at 133320 Pa and the characteristics of plasma induced by Gaussian-shaped KrF laser pulse with wavelength of 248nm, pulse width of 17ns, and peak power of w/cm2.
32pa)氦气环境下烧蚀晶体Ge及产生等离子体的过程进行了数值模拟,并对计算结果进行分析比较。
2) germaium(Ge) crystal
锗(Ge)晶体
3) Ge nanocrystals
Ge纳米晶
1.
Ge nanocrystals embedded in SiO2 thin films have been prepared by RF co-sputtering technique and post-annealing treatment.
用射频共溅射技术和后退火的方法,制备出埋入SiO2基质中的Ge纳米晶复合膜(ncGe/SiO2)。
2.
Ge nanocrystals embedded in SiO\-2 gel\|glasses were prepared by a sol\|gel method.
以 3-三氯锗丙酸和正硅酸乙酯为原料 ,通过水解、缩聚凝胶热处理及氢气反应 ,在 Si O2 凝胶玻璃中析出立方相 Ge纳米晶 ,当 x=30时 ,凝胶玻璃中除了析出立方相 Ge纳米晶外 ,还析出六方相 Ge O2 。
3.
The formation mechanism of Ge nanocrystals (nc-Ge) embedded in a SiO_2 amorphous film is studied.
研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制。
4) Ge nanocrystal
Ge纳米晶
1.
Local structure of Ge nanocrystals embedded in SiO_2 studied by Fluorescence EXAFS technique;
荧光EXAFS研究镶嵌在SiO_2中的Ge纳米晶的局域结构
2.
Ge nanocrystal memory device can be programmed at a relatively low voltage and high speed.
Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。
5) nanocrystalline Ge
Ge纳米晶
1.
Study of Nanocrystalline Ge Preparation and Neutron Transmutation Doping;
Ge纳米晶制备及中子嬗变掺杂的研究
2.
The novel phenomena of the nanocrystalline Ge (nc-Ge) directly prepared with high dose Ge ion implantation of 1×10 16 ,1×10 17 ,5×10 17 ,and 1×10 18 cm -2 respectively and without the subsequent annealing are presented.
报道了分别采用剂量为 1× 1 0 1 6 ,1× 1 0 1 7,5× 1 0 1 7和 1× 1 0 1 8cm- 2的高剂量 Ge离子注入 ,不需退火即可在 Si O2中直接形成 Ge纳米晶的新现象 。
6) Ge monocrystal
Ge单晶
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条