1) tetrahedral amorphous carbon
四面体非晶碳
1.
Effect of boron doping on the electrical conduction of tetrahedral amorphous carbon films;
硼掺杂对四面体非晶碳膜电导性能的影响
2) Tetrahedral Amorphous Carbon film
四面体非晶碳膜
3) phosphorus incorporated tetrahedral amorphous carbon(ta-C:P)
掺磷四面体非晶碳
4) tetrahedral amorphous carbon (ta-C) film
四面体非晶碳(ta-C)膜
5) tetrahedral carbon films
四面体非晶碳薄膜
6) tetrahedral
[英]['tetrə'hedrəl] [美][,tɛtrə'hidrəl]
碳四面体
1.
The molecular model method is presented,with details of the bond angles and lengths,the theory of hybrid bond orbitals,formulae for the tetrahedral orbitals,and effects of the hydrogen bond.
简述了薛定谔对基因物质的预言和德尔布吕克等人关于DNA是遗传物质的确定;介绍了DNA结构的X射线衍射分析,其中包括在X射线晶体学中的布拉格方程,螺旋结构的傅里叶变换,威尔金斯对双螺旋结构的实验验证;介绍了分子模型方法,其中包括键角与键长,杂化轨道理论,碳四面体型轨道的量子力学计算,在分子的空间构型中氢键的作用。
补充资料：非金属晶须增强体
分子式：
CAS号：
性质：又称陶瓷晶须增强体。由非金属材料及金属氧化物，如二氧化硅、氧化镁、氮化硅、碳化硅、碳化硼、氧化铍及氧化铝、石墨等制成的晶须。各种非金属晶须的直径比最细纤维还微细(小于10μm)，长度由零点几毫米到数十毫米，最高模量可达100GPa数量级，最高熔点可达3500℃左右。陶瓷晶须因具有高强度、高模量的耐高温等突出优点，被用作复合材料的增强体可大大增加陶瓷基体、金属基体、树脂基体的力学性能。如用20％～30％氧化铝晶须增强金属，得到的复合材料强度在室温下比金属增加近30倍。作为增强体时，晶须用量多在35％(体积)以下。陶瓷晶须可大致分为非氧化物类和氧化物类两类。前者，如碳化硅和氮化硅，具有高达1900℃以上的熔点，故耐高温性好，多用于增强陶瓷基和金属基复合材料，但成本较高。氧化物陶瓷晶须，如CaSO4、K2O·6TiO2、2MgO·B2O3和nAl2O3·mB2O3(n=9～2，m=2～1)等，具有较高的熔点(1000～1600℃)和耐热性，可用作树脂基和铝基复合材料增强体。
CAS号：
性质：又称陶瓷晶须增强体。由非金属材料及金属氧化物，如二氧化硅、氧化镁、氮化硅、碳化硅、碳化硼、氧化铍及氧化铝、石墨等制成的晶须。各种非金属晶须的直径比最细纤维还微细(小于10μm)，长度由零点几毫米到数十毫米，最高模量可达100GPa数量级，最高熔点可达3500℃左右。陶瓷晶须因具有高强度、高模量的耐高温等突出优点，被用作复合材料的增强体可大大增加陶瓷基体、金属基体、树脂基体的力学性能。如用20％～30％氧化铝晶须增强金属，得到的复合材料强度在室温下比金属增加近30倍。作为增强体时，晶须用量多在35％(体积)以下。陶瓷晶须可大致分为非氧化物类和氧化物类两类。前者，如碳化硅和氮化硅，具有高达1900℃以上的熔点，故耐高温性好，多用于增强陶瓷基和金属基复合材料，但成本较高。氧化物陶瓷晶须，如CaSO4、K2O·6TiO2、2MgO·B2O3和nAl2O3·mB2O3(n=9～2，m=2～1)等，具有较高的熔点(1000～1600℃)和耐热性，可用作树脂基和铝基复合材料增强体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条