1) Infield emission electrode
内场致发射电极
2) Infield emissive
内场致发射
3) field emission triode
场致发射三极管
1.
Simulation of the structure of field emission triode;
场致发射三极管的结构模拟
4) field emission
场致电子发射
1.
The field emission properties were tested by using a diode structure in a vacuum chamber.
测试了类球状微米金刚石聚晶膜的场致电子发射特性。
2.
The field emission cathode was fabricated with a simple screen printing method.
采用丝网印刷方法将其制备为场致电子发射阴极,将阴极与印刷有荧光粉的阳极板组装成二极结构场致发射显示屏,并进行了场致电子发射特性对比实验。
3.
Recently, a number of experiments and theoretical researches have showed that diamond thin films，especially nanocrystalline diamond thin films, could emit electrons at very low fields, and be well suited for field emission cold cathode which is applied in many field emission applications, such as microwave vacuum devices and field emission displays.
近年来 ，国内外不断有实验和理论研究表明，金刚石薄膜特别是纳米晶金刚石薄膜，在低的开启电压作用下，即可获得很高的场致发射电流密度，具有十分优秀的场致电子发射特性，是一种理想的场致发射阴极材料。
5) field electron emission
场致电子发射
1.
Fullerene-like nano-crystalline CN_x films and its characteristics of field electron emission;
类富勒烯纳米晶CN_x薄膜及其场致电子发射特性
2.
The graphite-like film was prepared on silicon substrate by pulsed laser ablation, and the field electron emission from the film was measured.
利用脉冲激光烧蚀技术在硅衬底上制备了类石墨薄膜,以该薄膜为阴极进行了场致电子发射实验。
3.
Prebreakdown was observed under field electron emission experiments from amorphous carbon-polyimide films which were firstly deposited on silicon substrate with high electrical conductivity by pulse laser deposition.
利用脉冲激光沉积技术（ＰｕｌｓｅｄＬａｓｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）首次制备出非晶碳－聚酰亚胺复合薄膜，用其做为冷阴极，观察到其场致电子发射的预击穿现象，预击穿后阈值场强为７Ｖ／μｍ，最大发射电流密度为１。
补充资料：场致发射
场致发射
Field emission
其中B是一个与场无关的量纲为A/VZ的常量(A是安培，V是伏特)，沪是功函数，用电子伏特表示，F是所加的场强，用伏/厘米表示。因子尹/，/F正比于费米能级处势垒下面积的平方根。可觉察的发射要求场强为4一7火107伏/厘米，而且还与沪有关。参阅“金属自由电子理论”(free一eleetron theory ofmetals)条。!不l必。咖溜绝对零度时金属场发射能级示意图 尖头金属条容易实现场致发射，而金属条需用加热的办法使其尖头平滑成半球形，用这种方法得到的尖部半径厂，可等于或小于100纳米;由于其很小，发射区一般是一块单晶，如果发射区被一电压为V的半球形正极包围，则发射区的场强F近似为V/5r，。这样，中等电压便可满足发射的要求。电力线从尖端径向发射出去;由于电子轨道开始时沿着这些力线;因此它们也发散，并且用(如)正极粉末屏可以得到发射区表面的高磁场发射图。这就构成了场致发射显微镜、它是由谬勒(E.w.M胡er)于1936年发明的。由于功函数会受到吸收层的影响，发射也要受到影响，因此场致发射显微镜对于研究吸收很有用，尤其是对表面扩散。场致发射广泛应用于高亮度准点电子源的普通或扫描电子显微镜中，因为电子源于发射头中心时会出现发射。 从电极的凸凹不平处到绝缘液体也会发生场致发射，于是造成击穿。强场中孤立的原子分子也会发生场致发射，并称之为场致电离。场致电离构成了场离子显微镜的基础，并且在分析质谱仪中是产生离子的有效方法。强场中半导体的价带到导带也会出现内场致发射，这就是著名的齐纳(Zener)击穿。 仁哥末(R·Gomer)撰〕场致发射(field emiSSion) 在强电场的影响下，金属或半导体中的电子会被发射到真空或介质中去，在场发射中，经隧道通过势垒的电子多于像热发射和光发射那样克服势垒而逃逸的电子。这种隧道效应是纯量子力学的，经典上无此类似。其根源是.在经典的隧道点(在这些地方，电子的总能量小于势能)，电子的波函数不等于零，而进人势垒后呈指数衰减。这样，在势垒外便有一定的概率找到电子。此概率像‘妒了2一样变化，其中。是一常量，A是势垒下的面积。参阅“非相对论量子理论，，(nonrelativistie quantum theory)条。 对于低温金属·此过程可借助于图来理解。可以将金属看成是一个势盒子，电子填充到费米能级，它比真空能级低几个电子伏特。
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参考词条