1) nonlinear cutting force
非线性切削力
2) cutting force curve
切削力曲线
1.
Meanwhile, the theoretical cutting force curve is provided correspondingly.
在此基础上通过定义切削力分析指标,得到了基于切削力曲线形状特征的实际切深的计算方法。
3) nonlinear milling force model
非线性铣削力模型
1.
By differential geometrical theory,the three dimensional nonlinear milling force model of tapered mills is formulated in this paper.
应用微分几何理论，给出了圆锥螺旋铣刀几何特性，据此导出了三维非线性铣削力模型，继而采用非线性规划识别切削力系数。
4) heavy cut
重切削，强力切削
5) cutting force
切削力
1.
Study on the friction coefficient of PCBN compact based on cutting force;
基于切削力的PCBN复合片表面摩擦系数研究
2.
Study on Cutting Force and Tool Life in Ti6Al4V High Speed;
硬质合金刀具高速干车削Ti6Al4V切削力及刀具寿命研究
3.
Study on Tool Wear and Cutting Force of Cemented Carbides in Milling Ti6Al4V;
硬质合金刀具铣削Ti6Al4V时刀具磨损及切削力研究
6) milling force
切削力
1.
The morphology of the chips and the milling forces at various speeds were investigated.
使用直径为12mm的TiAlN涂层整体圆柱立铣刀,以151~942m/min的切削速度,对硬度为HRC41的P20淬硬钢进行了高速铣削试验,考察了各种切削速度下的切屑形态和切削力。
2.
The empirical model for the prediction of milling forces in high speed end milling of 1Cr18Ni9 corrosion resistant steel is developed.
基于概率统计和回归分析原理,对回归方程进行了显著性检验,并建立了1Cr18Ni9不锈钢的切削力经验模型。
3.
The morphology of the chips,chip microhardness,chipping temperature,and the milling forces at various speeds are investigated.
使用TiAlN涂层整体圆柱立铣刀,对P20淬硬钢(41HRC,32HRC)进行了高速铣削试验,考察了各种切削速度下的切屑变形、微观硬度、切削温度和切削力。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条