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1)  Ion implantationMutationPhytophthora capsici Leon
离子注入诱变疫霉病
2)  ion beam implanted mutagenesis
离子注入诱变
3)  N +ion implantation
离子诱变
4)  ion implantation
离子注入
1.
Study on characteristics and technology of ion implantation-assisted electroless copper plating films on Al_2O_3 ceramics;
离子注入辅助Al_2O_3陶瓷表面化学镀镀层特性研究
2.
Application of ion implantation and D-gun spraying technology to improve Operation life for jet element of fluid efflux hammer;
应用离子注入和爆炸喷涂技术提高液动锤射流元件寿命
3.
Application of low energy ion implantation in breeding of high yield CGTase strains;
低能离子注入在CGTase高产菌株选育中的应用
5)  Ion-implantation
离子注入
1.
Substituting Epitaxy by Ion-implantation in the Production of Microphone Devices;
改用离子注入替代外延生产话筒管
2.
Study on ion-implantation induced intermixing effect of quantum well by using photoluminescence spectroscopy;
离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究
3.
Using single energy or overlapped energy ion-implantation technology,a modified layer was formed after C ions implanted into uranium.
利用离子注入技术,分别采用单能量和多能量叠加注入方式在铀表面注入碳形成表面改性层,并对改性层的形貌、注入元素的分布和相结构分别进行扫描电镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)及表面相结构衍射谱(XRD)分析,利用电化学极化法测试注入样品的抗腐蚀性能。
6)  implantation [英][,implɑ:n'teiʃən]  [美][,ɪmplæn'teʃən]
离子注入
1.
Ion-implantation-induced transformation and pyrochlore nanodomains in a single crystal YSZ;
离子注入诱发YSZ相变和Pyrochlore纳米晶的电子显微研究
2.
Ion Implantation in Fabricating Strained Si Channel CMOS;
应变Si沟道CMOS中的离子注入工艺
3.
The structure of the aluminum alloy LY12 implanted with N/Ti by plasma based ion implantation (PBII) was characterized using X ray photoelectron spectroscopy (XPS) and glancing X ray diffraction (GXRD).
用X射线光电子能谱 (XPS)和小掠射角X射线衍射 (GXRD)研究了铝合金LY12等离子体基离子注入氮 /钛改性层的结构。
补充资料:诱变霉素
分子式:
CAS号:

性质:又称诱变霉素,自力霉素。由轮丝            R1    R2    R3丝裂霉素A CH3O   CH3O   H丝裂霉素B CH3O   HO    CH3丝裂霉素C NH2    CH3O   H丝裂霉素D NH2    CH3O   CH3链霉菌(Streptomyces verticillatus)产生的一类喹喔啉类抗生素。有A,B,C,D四种组分。为深蓝紫色晶体。熔点>360℃。溶于水、甲醇。一种抗肿瘤抗生素,临床上用于治疗肺癌、乳癌等各种癌症。其活性取决于在体内还原成高活性的氢醌衍生物的量。丝裂霉素C与盐酸的混合物称为丝裂霉素S。

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